低温成長InGaAs/InAlAs MQWを用いた超高速光デバイス
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概要
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我々は、MBE低温成長InGaAs/InAlAs MQWにおいてBeドープがキャリア寿命低減に極めて効果的であることを見い出した。このサンプルはアニール処理により高抵抗化が可能であり、暗電流1μA以下(5V印加)、応答速度2.6psの1.55μm帯超高速MSM-PDを実現した。さらに、1%圧縮歪みおよび1%反射率DBRの挿入により光非線形性を大幅に増大させた。この超高速可飽和吸収体は励起されたキャリアのスピン状態に起因した偏波依存性を有する。しかし、光-光スイッチに応用したとき、直線偏光の制御光を用いれば、信号光に対して偏波無依存動作が可能となる。そして我々は、2pJの直線偏光の制御光で消光比13dB、ゲート幅1.5psの面型光-光スイッチを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-06-22
著者
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