荒井 和雄 | 電子技術総合研究所材料科学部
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概要
関連著者
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荒井 和雄
電子技術総合研究所材料科学部
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荒井 和雄
電総研
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野中 秀彦
電子技術総合研究所材料科学部
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清水 貴思
電総研
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荒井 和雄
電子技術総合研究所
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野中 秀彦
電総研
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根岸 明
電子技術総合研究所
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一村 信吾
電総研
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半田 隆
電子技術総合研究所
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野中 秀彦
電子技術総合研究所
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細川 俊介
電総研
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石井 芳朗
東京理科大学理学部応用化学科
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並河 洋
電子技術総合研究所
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野田 曜裕
電子技術総合研究所
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根岸 明
電子技術総合研究所エネルギー基礎部
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並河 洋
電子技術総合研究所 : (現)日本酸素(株)
著作論文
- 材料産業技術戦略ネットワーク WG 報告
- MBE法によるYBa2Cu3O7-δ薄膜の成長制御 (特集:高温超電導) -- (高温超電導材料の探索)
- 30p-PSA-26 酸化物超伝導体の薄膜成長モードと最表面層(II)
- 酸化剤ビ-ム源の開発と製膜への応用 (材料科学)
- 26a-Q-13 酸化物超伝導体の薄膜成長モードと最表面層
- 28p-APS-52 逐次蒸着によるYBa_2Cu_3O_薄膜の作製とその成長機構
- NO_2超音速分子線による酸化物超伝導薄膜作製とその成長機構
- 4p-A-1 S-Se融液のラマンスペクトルとその構造
- 1p-PS-12 S-Ge融液のラマンスペクトル
- 13a-E-1 S-Ge融液のラマンスペクトルとガラス構造の形成
- 普遍と個性
- シリコンカーバイド(SiC)半導体によるパワー素子研究開発の現状
- プラズマトーチCVD法によるNd-Al共ドープSiO_2ガラス合成と蛍光特性
- 特集 最近の半導体と製造装置(1)パワーデバイス用SiC半導体の材料開発
- ハードエレクトロニクスの展開 (特集 材料科学)
- プラズマト-チCVD法による活性イオンド-プ石英ガラスの合成とその物性 (ガラス)