特集 最近の半導体と製造装置(1)パワーデバイス用SiC半導体の材料開発
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 材料産業技術戦略ネットワーク WG 報告
- MBE法によるYBa2Cu3O7-δ薄膜の成長制御 (特集:高温超電導) -- (高温超電導材料の探索)
- 30p-PSA-26 酸化物超伝導体の薄膜成長モードと最表面層(II)
- 酸化剤ビ-ム源の開発と製膜への応用 (材料科学)
- 26a-Q-13 酸化物超伝導体の薄膜成長モードと最表面層
- 28p-APS-52 逐次蒸着によるYBa_2Cu_3O_薄膜の作製とその成長機構
- NO_2超音速分子線による酸化物超伝導薄膜作製とその成長機構
- 4p-A-1 S-Se融液のラマンスペクトルとその構造
- 1p-PS-12 S-Ge融液のラマンスペクトル
- 13a-E-1 S-Ge融液のラマンスペクトルとガラス構造の形成
- 普遍と個性
- シリコンカーバイド(SiC)半導体によるパワー素子研究開発の現状
- プラズマトーチCVD法によるNd-Al共ドープSiO_2ガラス合成と蛍光特性
- 特集 最近の半導体と製造装置(1)パワーデバイス用SiC半導体の材料開発
- ハードエレクトロニクスの展開 (特集 材料科学)
- プラズマト-チCVD法による活性イオンド-プ石英ガラスの合成とその物性 (ガラス)