IV. 化合物半導体発光材料 In_xGa_<1-x>N/GaN/LT-AlN/α-Al_2O_3(0001)に形成された貫通転位先端のピット
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概要
- 論文の詳細を見る
- 1998-12-20
著者
-
沖 憲典
九州大学大学院総合理工学研究科院
-
桑野 範之
九州大学大学院総理工学研究科
-
沖 憲典
九州大学 大学院総合理工学研究院
-
Oki Kensuke
Department Of Materials Science And Technology Graduate School Of Engineering Sciences Kyusyu Univer
-
沖 憲典
九州大学総理工
-
桑野 範之
九州大学大学院総合理工学府
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