GaN系へテロ構造の断面観察
スポンサーリンク
概要
著者
-
沖 憲典
九州大学大学院総合理工学研究科院
-
沖 憲典
九州大学 大学院総合理工学研究院
-
Oki Kensuke
Department Of Materials Science And Technology Graduate School Of Engineering Sciences Kyusyu Univer
-
桑野 憲之
九州大学大学院総合理工学研究科
関連論文
- Ni4Mo短範囲規則合金のHRTEM像シミュレーション
- FETEMによるNi-Mo短範囲規則合金のHRTEM像コントラスト
- Ni_4Mo短範囲規則合金のHRTEM像シミュレーション
- 横方向エピ成長(ELO)させたGaN薄膜の微細組織
- 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- サファイア基板上のGaNのヘテロエピタキシー機構(ヘテロエピタキシー機構)
- 窒化物半導体結晶のエピ成長と欠陥発生
- 改良HDDR処理による高B_r型Nd-Fe-Co-B系磁石粉末の作製
- HDDR熱処理途中におけるNd-Fe-B磁石粉末原料合金の分解組織
- 31a-TJ-5 IKL-ALCHEMI法によるCuAuPd3元合金の規則状態の解析
- Time-Evolution of Long Range Ordering in CuAuPd Ternary Alloys (Special Issue on Current Topics in Diffusional Phase Transformations)
- 水素処理によるNd-Fe-B系磁石粉末の磁気特性と微細組織
- III-V族半導体混晶のエピタキシャル成長に伴う規則化と相分離のモンテカルロシミュレーションによる検討
- 拡散型変態に関する測定技術(IKL-ALCHEMI法の応用)
- 27a-ZB-3 IKL-ALCHEMI法によるCuAuPd3元合金のL1_0規則化経路の解析
- 6p-B5-5 EDX分析電子顕微鏡法によるGaAs,GaInAs結晶の極性評価
- 3-5族混晶半導体における秩序構造の形成機構 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- Crystal Structures of H-Pd_5Ce and Pd_5La and Their Electrical Resistivities at Low temperatures
- HDDR処理と異方性Nd-Fe-B系ボンド磁石
- 原子間ポテンシャルを用いた InGaAs/ (110) InP 混晶中に出現する CuAu-I 型規則構造形成機構の理論的解析
- 解説 プラズマ回転電極法で作製した急冷Ti50Al45Mo5合金粉末の微細組織形成
- 部分的に規則化したNi_4Mo合金のHAADF-STEM観察
- Al規則合金のALCHEMIにおける特性X線強度の検討
- 24aZL-10 不規則Ni_4Mo合金のHAADF-STEMの結像理論
- プラズマ回転電極法(PREP)で作成したTi50Al45Mo5合金粉末の微細組織
- B2型Ti-Al-Mo合金のALCHEMI実験における特性X線強度の測定条件依存性
- 急冷されたNi-19.5at.%Mo合金の大角度散乱暗視野走査透過電子顕微鏡観察
- Ni-Mo合金の規則-不規則変態における新しい構造解析の試み
- 23aB10 原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InPにおけるCuAu-I型規則化メカニズムの解析(エピタキシャル成長II)
- IV. 化合物半導体発光材料 In_xGa_N/GaN/LT-AlN/α-Al_2O_3(0001)に形成された貫通転位先端のピット
- FeCo合金の等速昇温規則化に伴う電気抵抗変化
- TEMによる長周期規則構造形成機構の解析
- X線サイドバンドの解析によるCu-Ni-Sn合金における変調構造の発達過程
- 企画・編集にあたって
- GaN系へテロ構造の断面観察
- FeCo合金の等速昇温規則化過程に及ぼす空孔の影響