薄膜のモフォロジーと原子反応の素過程(<小特集>エピタキシャル成長の量子論)
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概要
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A review is given on the first-principle total-energy electronic-structure calculations which clarify roles of energetics and kinetics in atomic reactions at the initial stage of semiconductor epiaxial growth. It is demonstrated that the bunching of double-layer steps on Si (100) leads to the {311} facet which is commonly observed in epitaxial grpwth on the surface. It is emphasized that microscopic atomic structures at the initial stages crucially affect the morphology of the resulting overlayers.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1996-03-25
著者
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