26a-G-13 強磁場下D^--イオンの遠赤外スペクトロスコピー

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1987-09-16

著者

• 名取 晃子

  電通大

関連論文

• 5p-B-11 アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関II
• アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関
• 23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aPS-124 グラフェンのバリスティック熱伝導特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 30p-S-9 Si(111)面の表面融解 : ストレイン依存性
• 28p-YM-2 Si(111)微斜面の表面融解II
• 5a-H-8 Si(111)微斜面における表面融解
• 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
• Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造転移(結晶成長理論の最近の動向)
• 29pPSA-38 Si(111)-"1×1"面上のSi Adatomのダイナミクス
• 28pTA-10 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造変化機構II
• 28pTA-9 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクスII
• 27aTB-11 磁場下量子ドット荷電励起子のルミネッセンス
• 24pPSA-55 Si(100)面の異方的欠損ダイマークラスタの成長ダイナミクス
• 24pPSA-54 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクス
• 25pT-4 Si(111)成長表面におけるAu薄膜のサーファクタント効果
• 25aK-9 量子ドット荷電励起子の磁場効果
• 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
• 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
• 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
• 27aW-5 Si(111)面上におけるAu超薄膜の電子構造と電荷移動の第一原理計算
• 24pW-16 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップと構造変化機構
• 24aW-8 O/Cu(100)のナノドメイン構造と揺らぎ
• 25pD-7 Charged Magnetoexcitons in Parabolic Quantum Dots
• C-10-15 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
• 28p-YM-1 Si(001)面上異方的欠損ダイマークラスタの安定性
• 21pWH-12 In被覆Au探針を用いたエレクトロマイグレーションの観察(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28pPSB-69 UHV-SEM を用いた Vicinal Si(001) 表面エレクトロマイグレーションのその場観察
• 30a-TA-12 Siステップ表面におけるAgのエレクトロマイグレーションII
• 4a-T-6 Siステップ表面におけるAgのエレクトロマイグレーション
• 3p-E-4 単原子層の反電場効果
• 13p-Y-8 グラファイト表面上アルカリ原子吸着系の全エネルギー
• 30a-Y-14 グラファイト(001)面・アルカリ原子吸着系の電子状態
• Si(111)面の表面融解
• 29a-J-1 高温1×1-Si(111)面のSi(111)面の表面原子構造
• 24a-PS-31 半導体上金属超薄膜のエレクトロマイグレーションIII
• 5a-ps-23 Ag/Si(111)の表面エレクトロマイグレーションによるAg原子輸送過程
• 30a-TA-11 Ag/Si(111)のAg原子輸送過程
• 3a-Q-11 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究III
• 14p-DJ-4 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究II
• 28a-ZS-11 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究
• 21aPS-51 原子レベルの摩擦機構(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aXD-9 BNリボンの磁性II(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-81 BN リボンの磁性(領域 9)
• 15aPS-10 ヘテロ基板上原子クラスタのマジックサイズと摩擦(領域 9)
• 15aPS-9 超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性(領域 9)
• 30aWP-5 Si超薄膜の誘電特性(ナノ構造量子物性)(領域9)
• 29pYA-7 2重量子ドットのスピン結合(量子ドット(伝導理論・スピン効果・量子リング))(領域4)
• 30pZP-11 2 重量子ドットのスピン結合制御
• Si(111)微傾斜ステップ面上のAg及びInの異方的質量輸送
• Si(111)微傾斜ステップ面上のAg及びInの異方的質量輸送
• 31a-PS-24 Si(001)微斜面におけるIn薄膜の質量輸送
• 2p-PSA-9 Si(001)微斜面におけるInの質量輸送 II
• 28p-WC-5 SI(001) 上 Inの表面拡散とエレクトロマイグレーション
• 29p-PSB-12 Si(001)表面におけるInの質量輸送
• 30p-BPS-17 SOIの表面エレクトロマイグレーション
• 28a-T-10 Si表面上のヒロック/クレーター修復過程とステップ構造の相関
• Simulated Annealingの有効冷却スケジュ-ルとレンジリミタ-の設計
• 5a-Q-8 KCl/KBrヘテロエピタキシャル成長の初期過程
• 異方的調和型量子ドットの多電子束縛状態の磁場効果
• 異方的調和型量子ドットの多電子束縛状態の磁場効果
• 29a-M-13 原子鎖上の電子波束の運動:電界・磁界効果
• 29a-M-13 原子鎖上の電子波束の運動 : 電界・磁界効果
• TSP(巡回セ-ルスマン問題)のHopfieldモデルによる解法の効率化
• 原子鎖の電子波透過スペクトル
• 原子鎖の電子波透過スペクトル
• 2a-YF-11 Au微小被覆条件下のSi(111)面の表面エレクトロマイグレーション
• 7a-N-2 量子ドットの多電子基底状態の磁場転移
• 7a-N-2 量子ドットの多電子基底状態の磁場転移
• 31a-T-4 Si(001)面欠損ダイマー列構造の形成過程
• 1a-E-4 3次元異方的調和型量子ドットの多電子束縛状態
• 29a-YQ-9 異方的調和型量子ドットの多電子相関効果
• 29a-K-8 量子井戸内D^-イオンの磁気吸収スペクトル
• 12a-DE-2 量子井戸内D^-イオンのシュタルク効果
• 3a-J-9 √3×√3Ag/Si(111)と7×7Si(111)上のAg原子構造
• 31p-PSB-26 Si(100)面欠損ダイマー構造のストレイン依存性
• 30p-G-5 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程 III
• 28a-Z-13 アルカリハライド(001)面上アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程
• 27a-ZF-12 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程(II)
• 30p-BPS-16 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程
• 27a-ZD-3 Si(100)ステップ面上SiMBEの通電効果
• 27p-R-2 Si(100)面ステップダイナミクスの通電効果
• 5p-W-11 fcc(111)金属表面原子動力学の計算機シミュレーション
• 4a-B4-10 アニーリングによるヘテロ薄膜緩和の計算機シミュレーション
• 28p-D-8 吸着子表面拡散とパターン形成 II
• 4a-Q-7 吸着子表面拡散とパターン形成
• 25p-YG-10 量子ドット多電子状態の磁場効果II
• 25p-YG-10 量子ドット多電子状態の磁場効果II
• 28p-D-9 分布を持ったステップのある表面のLEED-パターン
• 2011年5月の随想
• 29a-WB-8 ステップ面での表面拡散 : ゆらぎ効果
• 14p-DJ-3 Si(111)面ステップダイナミクスの通電効果
• 29p-H-5 ステップ面の表面拡散
• 26a-G-13 強磁場下D^--イオンの遠赤外スペクトロスコピー
• 吸着子表面拡散とパターン形成(V理論II,相転移における秩序形成過程の動力学,科研費研究会報告)
• 7aSM-1 GaAs(001)-c(4×4)表面に対する新たな構造モデルの提唱(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 7pPSB-20 2重量子ドットの多粒子状態(領域4)
• 3p-F4-3 Si上金属層のエレクトロマイグレーションと構造(表面・界面)
• 31a-F4-3 薄膜成長の計算機シミュレーション(表面・界面)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク