26pXC-3 Si(100)再構成表面の電子状態とSTMイメージング(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
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概要
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- 2005-03-04
著者
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藤田 大介
物質・材料研究機構ナノ計測センター
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藤田 大介
独立行政法人物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所ナノ物性研究グループ
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藤田 大介
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
鷺坂 恵介
物質・材料研究機構
-
鷺坂 恵介
物質・材料研究機構ナノ計測センター
-
藤田 大介
物質・材料研究機構
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