28aWR-2 p-GaAs(110)表面からのトンネル電子誘起発光近接場計測(表面局所光学現象/表面界面ダイナミクス)(領域9)

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概要

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• 2004-03-03

著者

• 藤田 大介

  物材機構

• 大西 桂子

  物質・材料研究機構ナノ計測センター

• 藤田 大介

  物質・材料研究機構ナノ計測センター

• 大西 桂子

  物材機構ナノマテ研

• 新居 周子

  物材機構

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