30a-PS-32 超音速パルス分子線散乱装置の基本特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1995-09-12
著者
-
梶山 博司
Jrcat-atp
-
勝見 隆一
JRCAT-ATP
-
奥村 元
JRCAT-NAIR
-
中田 嘉信
JRCAT-ATP
-
大橋 勝文
JRCAT-ATP
-
尾関 雅志
JRCAT-ATP
-
尾関 雅志
JRCAT
関連論文
- 30a-PS-32 超音速パルス分子線散乱装置の基本特性
- 19pPSB-34 GaAs(001)表面上でのIn_xGa_Asの層状成長
- 24pPSA-15 As分子線照射下におけるGaAs(001)表面構造
- 23aT-9 InAs/GaAs(111)A系における歪緩和
- 26aPS-21 GaAs(111)A-(2x2)ホモエピタキシャル成長のbeam-rocking RHEEDによる評価
- 26p-YR-2 GaAs(001)表面上の有機金属化合物のSTM観察
- 25aWB-7 GaAS(001)-2×4表面上の有機金属分子の観察
- 2次イオン質量分析法によるシリコン結晶中の炭素と酸素の分析において定量性に影響する因子
- SC-8-1 超音速分子線を用いたGaAs、InAsナノ構造成長
- GaAs有機原料分子の表面反応過程
- GaAs表面反応の動的解析と制御
- 表面吸着種の光化学
- 原子層結晶成長技術への期待--原子1層ごとに結晶を成長する--原子単位の結晶成長法 (アトムテクノロジ---技術開発の新地平を拓く試み)
- 27pYF-9 Ga安定化GaAs(001)表面の構造評価(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))