p-n多層型Si-Ge熱電素子の作製及び出力評価
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概要
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A Si_<0.8>Ge_<0.2> multilayered thermoelectric element with ten pairs of p-n layers was fabricated by simultaneous sintering and joining of Si-Ge powders with a sandwiched alumina cloth. Every p-n joint of the element was firmly connected without any cracks and the alumina layer inserted here remained unchanged even after a pulse-current sintering process. The maximum output, P_<max>, of this element was determined in the temperature range of 473-1273 K, and then increased in proportion to the second order of the temperature difference between the hot and cold ends of the element. As a result, P_<max> was 120 mW when the temperature difference was 500 K.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2004-08-01
著者
-
杉山 治
静岡県富士工業技術センター
-
金子 正治
静岡大学工学部物質工学科
-
大竹 正寿
静岡県浜松工業技術センター
-
佐藤 憲治
静岡県浜松工業技術センター
-
佐藤 憲治
静岡県工業技術研究所浜松工業技術支援センター
-
杉山 治
静岡県静岡工業技術センタ
-
金子 正治
静岡大学工学部
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