640 VGF 法を用いた化合物半導体及び酸化物結晶成長時の融液内対流制御に関する数値解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2000-11-27
著者
関連論文
- GaSb/InSb/GaSbサンドウィッチ構造における溶解過程に及ぼす重力対流の役割
- 宇宙ステーシヨン内における混晶半導体バルク結晶成長の予備実験
- InGaSb混晶半導体バルク結晶成長に対する結晶面方位効果の予備計測実験
- InGaSb結晶成長における重力効果と組成的過冷却の数値解析
- 落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察
- InSb融液中へのGaSb溶解に対する自然対流とマランゴニ対流効果
- 微小重力環境下と地上におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験
- 濃度差マランゴニ対流に基づく多元系化合物半導体融液の均一分散・混合化
- In-Sb系融液の均一分散・混合化実験(IML-2)の評価
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
- 609 フローティング・ゾーン融液内温度差・濃度差マランゴニ対流現象に関する数値解析(電子デバイス材料,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
- 固体高分子形燃料電池内における移動現象に関する3次元数値解析
- μg下と1g下におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験と数値解析 : 溶液成長
- 中国の回収衛星利用による多元系化合物半導体の溶解と成長
- 石英るつぼからシリコン融液に混入する酸素の動的挙動に関する数値解析 : バルク成長II
- 固体高分子形燃料電池内における移動現象に関する3次元数値解析
- A232 微小重力環境下における FZ 法を用いた Si/Ge 結晶成長に関する数値解析
- 343 FZ 法を用いた Si/Ge 結晶成長時の三次元マランゴニ対流現象に関する解析
- フルゾーン型フローティング・ゾーン内マランゴニ対流の三次元解析 : バルク結晶成長IV
- 424 3次元Floating zone内のマランゴニ対流に関する数値解析(OS01-1 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(1))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- F207 垂直温度勾配凝固法を用いたCdTe結晶作製実験とその数値解析(オーガナイズドセッション17 : 材料およびデバイス製造の熱工学)
- 微小重力下(IML-2実験)でのIn/GaSb/Sb混合と凝固
- VGF法を用いたCdZTe結晶成長に関する数値解析 : バルク結晶成長IV
- 425 地上及び微小重力環境におけるCdZnTe結晶成長に関する数値解析(OS01-1 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(1))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 640 VGF 法を用いた化合物半導体及び酸化物結晶成長時の融液内対流制御に関する数値解析
- VGF法による化合物半導体結晶成長時の融液内対流制御に関する数値解析 : バルク成長III
- 639 微小重力環境下での化合物半導体材料プロセッシングにおける諸移動現象の数値解析
- 638 化合物半導体融液内振動現象における対流の影響
- 微小重力下での対流, 拡散現象に及ぼす重力揺らぎの影響
- 化合物半導体融液内における自然対流とマランゴニ対流の共存効果に関する数値解析 : バルク成長III
- シリコンドロップ内の熱・物質移動現象 : 融液物性I
- 641 THM 化合物半導体結晶育成中における固液界面形状制御
- 602 FZ法を用いたSi/Ge結晶成長時における融液内対流現象に関する数値解析(OS 機器設計に関する伝熱問題(その1))
- 1514 Zone-melting法を用いたSi/Ge結晶育成中の移動現象に関する数値解析(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(4),オーガナイズドセッション)
- 微小量カ下における化合物半導体融液内不純物拡散現象に及ぼす重力揺らぎの影響 : バルク成長III
- THM法による化合物半導体結晶成長における固液界面形状制御に関する数値解析 : バルク成長III
- 電子材料用バルク単結晶作製時の移動現象
- 化合物半導体単結晶作製時の融液内マランゴニ対流
- 709 直接メタノール形燃料電池特性に及ぼす二酸化炭素の影響に関する数値解析(OS4.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)