窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長
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概要
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The In_x Ga_<1-x>As(x=0.06)layers were grown on siN_x-masked GaAs(111)B substrates with trenches of 1 mmo in diameter and 20-50μm in depth by liquid Phase epitaxial method. In the case of trench of more than 40μm in depth, the InGaAS layer made a bridge over a trench as well as laterally grew on the SiN_x film. As the grown layer did not contact the substrate except the trench periphery, high quality layers were grown.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
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