SFUを利用したGaAsとInP結晶成長宇宙実験
スポンサーリンク
概要
著者
-
高橋 克巳
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
-
高橋 克己
IHI 技研
-
足立 聡
石川島播磨重工業(株)技術研究所航空宇宙開発部
-
正木 みゆき
石川島播磨技研
-
正木 みゆき
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
-
高橋 克己
石川島播磨重工業(株)技術研究所先端技術研究部
-
高橋 克巳
石川島播磨重工業技術研究所
-
高橋 克巳
石川島播磨重工業(株)
関連論文
- GaとBiのInSb中への拡散と複合物の発生 : 融液成長(一般)I
- InSb結晶上へのInGaSbBiバルク混晶成長(第1報)
- InSb基板中へのGa高速混入機構
- InSb基板中へのGa混入機構(II)
- InSb基板中へのGa混入機構(II)
- InSb基板中へのGa混入機構
- InSb結晶中へのGa混入機構(第2報)
- InSb結晶中へのGa混入機構
- SFUを利用したGaAsとInP結晶成長宇宙実験
- SFUを利用したGaAs融液生長結晶の微小重力実験結果
- SFU宇宙実験によるInP溶液生長結晶のモフォロジー評価
- SFU利用GaAs結晶成長実験
- SFU利用InP結晶成長実験
- 超音波振動導入チョクラルスキー法で引上げたIn_xGa_1-_xSb混晶中のボイド
- 引上げ一時中断によるInGaSb混晶成長 : 融液成長(一般)I
- 温度勾配凝固法によるGaSbの結晶成長 : 融液成長IV
- クエスチョンボックス・ワンポイント