Growth of In_xGa_<1-x>As Epilayers on Different Types of Patterned GaAs(100) Substrates
スポンサーリンク
概要
著者
-
BALAKRISHNAN K.
静岡大
-
Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
-
Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
-
熊川 征司
静岡大学 電子研
-
K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
-
Koyama T
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Hayakawa Y
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
関連論文
- In-situ observations of dissolution process of GaSb into InSb melt by X-ray penetration method
- Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (電子デバイス)
- Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (シリコン材料・デバイス)
- Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (電子部品・材料)
- GaSb/InSb/GaSbサンドウィッチ構造における溶解過程に及ぼす重力対流の役割
- 29aZK-8 ナローギャップ半導体における過渡熱起電力効果
- 温度差法による任意組成の均一組成InGaSb結晶成長
- 回転ブリッジマン法によるIII-V族混晶半導体結晶成長(基板結晶)
- InGaSb結晶成長における重力効果と組成的過冷却の数値解析
- InGaSb結晶成長における重力効果の数値解析(半導体結晶成長II)
- InGaSb結晶成長における溶液相形成過程の数値解析(半導体結晶成長I)
- 回転ブリッジマン法を用いた高品質InGaAs混晶の結晶成長
- 落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察
- 酸化物高温超伝導の結晶成長その場観察
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 落下塔利用による微小車力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 航空機利用による微小重力環境下におけるInGaSb 半導体の結晶成長
- 酸化物高温超伝導体の核形成と結晶成長その場観察(2) (微小重力科学)
- InSb融液中へのGaSb溶解に対する自然対流とマランゴニ対流効果
- 01aA02 熱パルス法を用いた均一組成InGaSb結晶成長(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
- InGaSb結晶成長における重力効果
- 回転ブリッジマン法を用いたInGaSb結晶成長における炉内温度に対するアンプル回転効果の数値解析 : バルク成長III
- In situ observation of composition profiles in the solution by X-ray penetration method
- GaSb回転引上げ結晶中のミクロンサイズのfacet : III-V族化合物半導体など
- 結晶引上げ時の固液界面形状の計算機シミュレーション
- 気相成長
- InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長 : エピキタシャル成長IV
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
- Study on the LPE growth of InGaAS pyramidal layers on (100) GaAs substrates
- Coalescence of ELO layers of InGaAS grown on patterned (111) GaAs by LPE
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
- Growth of homogeneous InGaSb ternary alloy semiconductors on InSb seed
- Influence of Te impurity on morphology of GaSb epilayer grown on GaSb (001) patterned substrate by liquid phase epitaxy
- LPE growth of In_xGa_1-xSb pyramidal epilayer on GaSb(001) patterned substrate
- Growth of In_xGa_As Epilayers on Different Types of Patterned GaAs(100) Substrates
- Study on the LPE Growth of InxGaAs Bridge and ELO Layers on GaAs{111} Substrates
- EXPERIMENTAL AND NUMERICAL ANALYSES OF CRYSTALLIZATION PROCESSES OF In_Ga_Sb UNDER DIFFERENT GRAVITY CONDITIONS
- 17aB06 ホットウォールエピタキシー法によるバッファ層上へのInAs_xSb_結晶成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 25aB07 ホットウォール法によるInAs_xSb_結晶成長(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- ホットウォール法によるInAsとInAsSb結晶成長
- 温度差法によるIn_xGa_Sb結晶成長
- Defect Filtration of Hollow Pyramidal Structured GaSb Epilayers Grown on GaSb (100) Patterned Substrates by Liquid Phase Epitaxy
- 落下塔を利用した微小重力環境下におけるInGaSb三元混晶半導体の凝固実験
- 温度差法によるIn_xGa_Sb結晶成長の一次元モデル解析
- Dislocations in AlN Epilayers Grown on Sapphire Substrate by High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
- GaSb回転引上げ結晶中の特徴的なfacet- off facet境界帯 : III-V族化合物半導体など
- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
- 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
- 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
- GaSb/InSb/GaSbサンドイッチ構造試料溶融に及ぼす自然対流,マランゴニ対流の影響に関する数値解析
- (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長 : 溶液成長II
- (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_X酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
- (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
- (Nd_Eu_Gd_)Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
- 高温光学顕微鏡を用いたY_yNd_Ba_2Cu_3O_x酸化物高温超伝導体の相図作成と結晶成長
- Growth of InxGa1-xAs EPilayers on Different Types of Patterned GaAs(100) Substrates
- Impact of H_2-Preannealing of the Sapphire Substrate on the Crystallinity of Low-Temperature-Deposited AlN Buffer Layer
- Study on the Seeded Growth of AlN Bulk Crystals by Sublimation
- Growth of Si1-xGex bulk crystals with highly homogeneous composition for thermoelectric applications
- Structural Analysis of Cubic GaN through X-Ray Pole Figure Generation
- Characterization of Polarity of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial GaN{0001}Film Using Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy
- Computer Simulation for Analysis of Lattice Polarity of Wurtzite GaN{0001} Film by Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy
- Effects of solutal convection on the dissolution of GaSb into InSb melt and solute transport mechanism in InGaSb solution: Numerical simulations and in-situ observation experiments
- 微小重力環境下結晶成長実験を振り返って
- Effect of Temperature Gradient on InGaAs Crystal Growth and Its Numerical Analysis
- InSb CZ結晶に対する回転振動の効果 : 融液成長II