Study on the LPE Growth of InxGaAs Bridge and ELO Layers on GaAs{111} Substrates

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 静岡大学の論文

著者

• BALAKRISHNAN K.

  静岡大

• Balakrishnan K.

  静岡大学電子工学研究所

• Balakrishnan Krishnan

  名城大学理工学部材料機能工学科

• K バラクリシュナン

  静岡大学電子工学研究所

• Koyama T

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Hayakawa Y

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

関連論文

• In-situ observations of dissolution process of GaSb into InSb melt by X-ray penetration method
• Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (電子デバイス)
• Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (シリコン材料・デバイス)
• Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (電子部品・材料)
• GaSb/InSb/GaSbサンドウィッチ構造における溶解過程に及ぼす重力対流の役割
• 落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察
• 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
• 落下塔利用による微小車力環境下における半導体の融解と凝固実験
• 航空機利用による微小重力環境下におけるInGaSb 半導体の結晶成長
• InSb融液中へのGaSb溶解に対する自然対流とマランゴニ対流効果
• 回転ブリッジマン法を用いたInGaSb結晶成長における炉内温度に対するアンプル回転効果の数値解析 : バルク成長III
• In situ observation of composition profiles in the solution by X-ray penetration method
• InAs組成変換基板上への高In組成比InGaAs成長 : エピキタシャル成長IV
• 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
• 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
• 組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_Asブリッジ成長
• Study on the LPE growth of InGaAS pyramidal layers on (100) GaAs substrates
• Coalescence of ELO layers of InGaAS grown on patterned (111) GaAs by LPE
• 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
• 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
• 液相成長法による(100)GaAs基板上へのInGaAsピラミッド成長
• Growth of homogeneous InGaSb ternary alloy semiconductors on InSb seed
• Influence of Te impurity on morphology of GaSb epilayer grown on GaSb (001) patterned substrate by liquid phase epitaxy
• LPE growth of In_xGa_1-xSb pyramidal epilayer on GaSb(001) patterned substrate
• Growth of In_xGa_As Epilayers on Different Types of Patterned GaAs(100) Substrates
• Study on the LPE Growth of InxGaAs Bridge and ELO Layers on GaAs{111} Substrates
• EXPERIMENTAL AND NUMERICAL ANALYSES OF CRYSTALLIZATION PROCESSES OF In_Ga_Sb UNDER DIFFERENT GRAVITY CONDITIONS
• Dislocations in AlN Epilayers Grown on Sapphire Substrate by High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
• 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
• 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
• 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
• 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
• Growth of InxGa1-xAs EPilayers on Different Types of Patterned GaAs(100) Substrates
• Impact of H_2-Preannealing of the Sapphire Substrate on the Crystallinity of Low-Temperature-Deposited AlN Buffer Layer
• Study on the Seeded Growth of AlN Bulk Crystals by Sublimation
• Growth of Si1-xGex bulk crystals with highly homogeneous composition for thermoelectric applications
• Characterization of Polarity of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial GaN{0001}Film Using Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy
• Computer Simulation for Analysis of Lattice Polarity of Wurtzite GaN{0001} Film by Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy
• Effects of solutal convection on the dissolution of GaSb into InSb melt and solute transport mechanism in InGaSb solution: Numerical simulations and in-situ observation experiments
• Effect of Temperature Gradient on InGaAs Crystal Growth and Its Numerical Analysis

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク