スパッタ法によるCdS : CdTeヘテロ接合X線イメージセンサー
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概要
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The CdS/CdTe heterojunction devices have been fabricated for the first time by RF sputter deposition and used as X-ray imaging sensor. The sputter-deposited CdS/CdTe heterojunction sensor showed a good diode characteristic, and high X-ray sensitivity. As an application of this sensor, a one inch X-ray vidicon (imaging pick-up tube) with photoconductive target consisting of CdS/CdTe heterojunction have been developed. It was observed that the X-ray signal current was about 130 nA/cm^2 for 13 R/min, is higher than 60 nA/cm^2 of our conventional PbO X-ray target.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1990-12-18
著者
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
河合 敏昭
浜松ホトニクス
-
畑中 義式
静岡大
-
河合 敏昭
浜松ホトニクス株式会社
-
富田 康弘
浜松ホトニクス(株)
-
永田 幹夫
浜松ホトニクス(株)
-
高林 敏雄
浜松ホトニクス株式会社電子管事業部
-
高林 敏雄
浜松ホトニクス(株)
-
高林 敏雄
浜松ホトニクス
-
富田 康弘
浜松ホトニクス株式会社
-
富田 康弘
浜松ホトニクス
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