p-i-na-Si : H光導電層と画素分離されたアルミ反射鏡を持つ液晶空間光変調器
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概要
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p-i-nダイオード構造とした、a-Si : H光導電層を持ち、光反射層に画素分離したアルミ膜を用いた液晶空間光変調器の作製と諸特性の測定を行った。p-i-nダイオード構造としたことによりPC層の暗抵抗率は約10^<13>Ωcm、光照射時の抵抗率は約10^9Ωcmと変化量が多く、実際に光変調素子に組み込んで画像を表示させた時にコントラスト比12 : 1という値が得られた。また広い波長領域を反射するアルミ膜を画素分離して用いているので、高精細な再生画像が容易に得られることが解った。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1996-02-20
著者
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大
-
高橋 秀年
静岡大学電子科学研究科
-
大塚 勝博
静岡大学電子工学研究所
-
大塚 勝博
静岡大学 電子工学研究所
-
高橋 秀年
静岡大学電子工学研究所
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