リモートプラズマMOCVD法によるZnCdO薄膜の成長
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
プラズマ励起化学気相堆積法により作製した水酸基終端型アモルファスTiO_X膜の親水特性
-
エネルギー弁別X線CTによる材質識別イメージング(セキュリティカメラ,車載カメラ,サーベイランス技術,関連デバイス,および一般)
-
サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
-
燃焼法による蛍光体の合成
-
CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
-
サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
ZnOナノドット形成の基板依存性
-
ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
-
Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
-
Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
Si基板上ZnS薄膜の酸化によるエピタキシャルZnO薄膜の形成と励起子発光
-
Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
-
Si基板上エピタキシャルZnO薄膜の成長と励起子発光特性
-
高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
-
CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
-
Si基板上エピタキシャルZnO薄膜の成長と励起子発光特性
-
エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
-
エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
-
電界集中係数緩和を用いた放射電流の安定化(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
-
混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
情報ディスプレイ(画像エレクトロニクス)(映像情報メディア年報)
-
青色発光CaS:Cu, F薄膜の発光特性
-
青色発光CaS:Cu,F薄膜の発光特性
-
燃焼法による蛍光体の合成
-
水素ラジカル励起MOCVD法による Si 上への ZnSe の成長
-
CdTe放射線検出器を用いたイメージング装置の開発
-
放射角制御可能なマイクロカラム用電子銃の作成と評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
-
静電レンズ一体型FEAの試作と評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
-
Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
-
集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
-
エネルギー弁別型半導体検出器と画像計測
-
フィールドエミッションアレイを用いたX線イメージング技術
-
高精細FED用ダブルゲートFEAの開発(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
-
低電圧駆動ディスプレイ用微粒子蛍光体の合成
-
中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
-
SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
-
SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
-
ゾル-ゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光特性
-
赤色発光SrTiO_3:PrAl蛍光体におけるAl添加効果
-
ゾルーゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光
-
リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御
-
リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御
-
緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_XTe_混晶の成長
-
緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長
-
クローバーリーフパターンの起源究明 : 電界放射・イオン顕微鏡によるクローバーリーフパターンの解析(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
-
1-2 情報ディスプレイ(1.画像エレクトロニクス)(映像情報メディア年報)
-
Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
-
Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
-
Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
ECRプラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiC薄膜の低温形成 -第2報-
-
蛍光体表面の改質による低速電子励起発光特性の向上
-
蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察
-
ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
-
ゾルーゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
-
リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長
-
RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
集積型EL素子の作製と発光特性
-
高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
-
高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
-
リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器(画像変換技術)
-
エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器
-
エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
-
エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
-
エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
-
レーザープロセスによるマルチピクセルp-i-n CdTeアレイ
-
化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
-
化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
-
EID2000-18 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
-
青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜のCe濃度と発光特性
-
PPVを配位子とした(π-アレーン)ルテニウム錯体の発光特性
-
4-2 有機EL素子の発光特性に及ぼすTPD薄膜の構造特性の影響
-
RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
エキシマレーザープロセスを用いたエネルギースペクトル計数型CdTe高エネルギー放射線イメージングデバイス
-
酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長
-
酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
-
高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
-
高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
-
CdZnTe系化合物半導体を用いた放射線検出器用ダイオードの作製
-
サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成
-
プラズマCVD法によるSiC薄膜の形成
-
有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
-
リモートプラズマ励起MOCVD法を用いたCdSe量子ドット形成の研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク