水素リモートプラズマアフターグローによる有機金属錯体からの銅薄膜の堆積と評価

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
水素リモートプラズマCVDを用いて有機金属錯体であるCopper(II)acetylacetonate(Cu(ac)_2)から銅薄膜を堆積した。水素リモートプラズマを用いることによって、基板温度が低温の場合においても良質の銅薄膜を堆積できることがわかった。また、入射電力や圧力、原料供給量、基板温度を変化させ検討した結果、Cu(ac)_2の分解反応は熱や紫外光ではなく水素ラジカルによって生じ、膜の堆積速度は水素ラジカル量と原料供給量の積に支配されていることがわかった。また、得られた膜は基板温度に関わらず低い抵抗率(1.8-2.0×10^-6>Ω・cm)であった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-10-29

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク