グラニュラー化した触媒薄膜によるグラファイトナノファイバFEDの電子放出特性改善(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
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概要
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グラファイトナノファイバ(GNF)の電界集中係数βに対し,冷陰極と陽極間の距離がどの様に影響するかシミュレーションにより調べた.その結果,GNF-FEDの冷陰極素子の寸法においては,βを大きくするためにはGNFの長さよりも直径が重要であることが分かった.そこで,より細いGNFを成長させるため,従来の触媒金属にSiO_2を混合してグラニュラー化した新たな触媒薄膜を用いる手法を試みた.その結果,SiO_2の混合比を増すほど,触媒金属の粒径が小さくなった.そして,その触媒薄膜により成長させたGNFは,従来よりも細く,均一な直径であった.このGNFを用いることにより,GNF-FEDの発光輝度と発光均一性を改善できる可能性がある.
- 2007-01-18
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