SrGa_2S_4:Bi蛍光体のフォトルミネッセンス特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Bi^<3+>イオン添加SrGa_2S_4(SrGa_2S_4:Bi)蛍光体のフォトルミネッセンス(PL)特性を調べた.PL発光は,533nmに単一のピークをもつスペクトルで緑色発光であった.その半値幅(FWHM)は55nmであった.この緑色発光は,Bi^<3+>イオンの6s^2電子配置における6p-6s電子遷移によるものである.Bi^<3+>とMn^<2+>イオンを同時に添加すると400nm付近の励起帯が300nm付近の励起帯に比べて相対的に大きくなることが判った.
- 2009-01-29
著者
関連論文
- SrGa_2S_4:Bi蛍光体のフォトルミネッセンス特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrGa_2S_4:Bi蛍光体のフォトルミネッセンス特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 増幅形固体撮像素子AMIの固定パターン雑音
- 1/4インチ25万画素増幅型固体撮像素子AMI((固体撮像とその関連技術))
- BaAl_2S_4:Eu薄膜におけるBa^とEu^イオンの局所構造解析
- BaAl_2S_4:Eu薄膜におけるBa^とEu^イオンの局所構造解析(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 結晶成長技術
- グラニュラー化した触媒薄膜によるグラファイトナノファイバFEDの電子放出特性改善
- グラニュラー化した触媒薄膜によるグラファイトナノファイバFEDの電子放出特性改善(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- グラニュラー化触媒によるグラファイトナノファイバーの電子放出特性の改善 (ディスプレイの大画面・超高精細化 特集号)
- グラニュラー化した触媒薄膜によるグラファイトナノファイバFEDの電子放出特性改善 (情報ディスプレイ)
- グラファイトナノファイバーを用いた5インチフルカラーFED
- グラファイトナノファイバーを用いた5インチフルカラーFED(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- GNF-FEDにおける電子軌道シミュレーションのための冷陰極エミッタモデルの検討
- GNF-FEDにおける電子軌道シミュレーションのための冷陰極エミッタモデルの検討(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- グラファイトナノファイバーを用いた5インチフルカラーFED
- グラファイトナノファイバーを用いたFEDの製作及びその基本特性
- グラファイトナノファイバーを用いたFEDの製作及びその基本特性
- グラファイトナノファイバーを用いたFEDの製作及びその基本特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- GNF-FEDにおける電子軌道シミュレーションのための冷陰極エミッタモデルの検討
- 1-5 画像表示
- 1-2情報ディスプレイ(映像情報メディア年報)
- ナノ粒子を用いて作製したZnS:Mn蛍光薄膜の結晶性と発光特性
- ナノ粒子を用いて作製したZnS:Mn蛍光薄膜の結晶性と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ZnS,ZnSeを電子加速層に用いた交流型薄膜冷陰極素子
- ナノ粒子を用いて作製したZnS:Mn蛍光薄膜の結晶性と発光特性
- SrGa_2S_4:Bi蛍光体のフォトルミネッセンス特性(発光型/非発光型ディスプレイ技術の進展)
- SrGa_2S_4:Bi蛍光体のフォトルミネッセンス特性
- Local structures around Ba[2+] and Eu[2+] ions in blue luminescent BaAl2S4:Eu thin films (情報ディスプレイ)
- BaAl_2S_4:Eu青色EL薄膜の発光機構
- BaAl_2S_4:Eu青色EL薄膜の発光機構(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 高効率蛍光体におけるホール励起発光 (ディスプレイの大画面・超高精細化 特集号)
- Excitation process in blue-electroluminescent BaAl2S4:Eu thin films (情報ディスプレイ)
- ZnS:Ce,Yの発光特性
- ZnS:Ce,Yの発光特性
- ZnS:Ce,Yの発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 無機ELデバイスにおけるSrTiO_3とSiO_2による多層積層構造の誘電特性
- 無機ELデバイスにおけるSrTiO_3とSiO_2による多層積層構造の誘電特性
- 無機ELデバイスにおけるSrTiO_3とSiO_2による多層積層構造の誘電特性(発行型/非発行型ディスプレイ合同研究会)
- 5)光-パルス変換CaAsディジタルセンサ(情報入力研究委員会)
- 光-パルス変換GaAsディジタルセンサ : 画像入出力 : 情報入力
- 2.5インチカラーELパネル
- 無機ELの展望(光に関わる材料の世界 その1 : 多彩な固体発光材料の世界)
- 色純度の優れた新青色EL材料 (′95〔NHK〕技研公開講演・研究発表会)
- 冷陰極ディスプレイ用蛍光体の高輝度・高効率化の研究 ('04〔NHK〕技研公開 講演・研究発表 特集号(2))
- 事例/トピックス 無機ELの技術動向--発光材料を中心に (特集 目を見張るディスプレイと材料技術--もっと薄く高画質のFPDを求めて)
- ディスプレイ・照明用の発光材料
- 青色発光SrGa_2S_4:Ce蛍光薄膜の低速カソードルミネツセンス特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青色発光SrGa_2S_4:Ce蛍光薄膜の低速カソードルミネッセンス特性
- 青色発光SrGa_2S_4 : Ce蛍光薄膜の低速カソードルミネッセンス特性
- TC-3-4 有機EL素子の簡便な量子効率測定法
- 無機薄膜エレクトロルミネッセントディスプレイ (特集 オプトエレクトロニクス)
- フルカラ-有機ELディスプレイ (′97年版フラットパネルディスプレイのすべて--LEDからフィ-ルドエミッションまで)
- 薄膜冷陰極 (将来の放送用光デバイス)
- CS-4-4 シロール誘導体のイオン化ポテンシャル低減と波長選択型有機光電変換素子への応用(CS-4.有機半導体の物性とデバイス応用および今後の展開,シンポジウムセッション)
- EL薄膜からの電子放出 - 薄膜冷陰極 -
- 蛍光体の現状と将来展望
- 128×96画素RGB積層有機撮像デバイスの試作 (超小型カメラを実現する撮像・記録デバイス技術 特集号)
- RGB積層有機撮像デバイスの開発(センサー,デバイス,一般)
- 14-6 高精細FED用ダブルゲートFEA(第14部門 情報ディスプレイ2)
- 1-3 電流量減少を抑制するダブルゲートFEA構造の提案(第1部門 情報ディスプレイ&ストレージ)
- 9-6 FED用グラファイトナノファイバの構造解析 : 電界放出特性の改善を目指して(第9部門 情報ディスプレイ2)
- 3-8 デマウンタブル装置による超高精細FED用冷陰極の評価(第3部門 ストレージ&ディスプレイ&センシング&コンシューマエレクトロニクス)
- RGB積層有機イメージセンサの開発状況
- RGB積層有機撮像デバイスの開発
- 14-12 有機撮像デバイスの高解像度化,高効率化に向けた作製プロセスの基礎検討(第14部門情報センシング)
- 6-11 蛍光薄膜を用いた高解像度ハイビジョン小型CRTビューファインダー(第6部門 情報ディスプレイ)
- 11-6 有機撮像デバイス用信号読み出し回路の低温形成技術(第11部門 情報センシング,マルチメディアストレージ,情報ディスプレイ)
- 15-1 有機撮像デバイスの高解像度化に向けた直接積層構造の開発(第15部門情報センシング1)
- 16-4 微小発光素子の表面構造による指向性制御手法(第16部門情報ディスプレイ)
- 非周期的構造物を用いた発光の角度分布制御