BaAl_2S_4:Eu青色EL薄膜の発光機構(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)

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概要

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分子線エピタキシー(MBE)装置を用いた多源蒸着法により酸素不純物が検出限界以下のBaAl_2S_4:Eu薄膜を作製した。得られたBaAl_2S_4:Eu薄膜は化学量論的組成比と高い結晶性を有しており、As-grownの状態で色純度の良好な青色ELを示した。EL波形よりBaAl_2S_4:Eu薄膜のELは、従来の電子励起と異なりホットホール励起によることが判明した。また、光電子分光スペクトル(XPS)の測定および第一原理計算の結果は、BaAl_2S_4母体の価電子帯がS3p,S3s,Al3s,Al3pよりなる事を示している。このため、BaAl_2S_4中のEu^<2+>イオンの置換するBaが価電子帯に関与しておらずEu^<2+>イオンは価電子帯から孤立した発光中心を形成している。以上の知見からホットホールが効率良くEu^<2+>イオンを励起できるという特異な発光機構を有することが明らかになった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2007-01-18

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