PDP絶縁体陰極における二次電子利得γの計算
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概要
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PDP陰極の二次電子利得γは放電電圧と密接な関係を持っているため、重要な検討対象となっている。今回は、不純物準位の無い絶縁体・半導体におけるγの値をHagstrumの理論から算出した。その結果γはガス原子の電離エネルギーもしくは励起エネルギーと固体の電子親和力、禁制帯幅、価電子帯幅を与えると決まることが明らかになり、その関係を明示した。さらに、具体的に、Ge,Si,MgO,BaOについてHe,Ne,Ar,Kr,Xeガスのイオン及び準安定原子によるγの値を計算した。特にPDPに実用されているMgOのγについては、実験結果との比較を行った。今回の検討結果により陰極材料探索の有力な指針の一つが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-09
著者
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