GaAs横方向P-n接合の近接場光学顕微鏡による発光特性評価
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概要
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GaAs段差加工基板上へのp領域とn領域との同時形成技術は,高品質のp-n接合を形成する技術として有望であるが,従来の評価法では空間的な分解能が不十分なため,接合の微視的な品質を鮮明できなかった.今回,高い空間分解能で光学的特性と表面形状を同時に測定できる近接場光学顕微鏡を用い,横方向p-n接合の発光特性を評価した.その結果,フォトルミネセンス特性の位置による変化から定めたp領域からn領域への遷移領域の幅が,段差の上端に形成される接合では1.8μmであったのに比べて,下端に形成される接合では5.5μmと広いのに対して,電流注入発光強度の空間分布から見た接合の幅は両接合に関して1.1μmと同じ値であることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-10
著者
-
佐藤 史郎
NHK放送技術研究所
-
斎木 敏治
神奈川科学技術アカデミー
-
斎藤 信雄
NHK放送技術研究所
-
斎藤 信雄
(株)国際電気通信基礎技術研究所
-
滝沢 國治
成蹊大学大学院工学研究科物理情報工学専攻
-
滝沢 國治
NHK放送技術研究所
-
大津 元一
東京工業大学
-
大津 元一
東大
-
斎木 敏治
慶応大 理工
-
斎木 敏治
慶應義塾大学理工学部 神奈川科学技術アカデミー
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