Design and Implementation of Near-Field Scanning Optical Microscope for Observation of Interfacial Liquid Crystal Orientation : Structure and Mechanical and Thermal Properties of Condensed Matter
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人応用物理学会の論文
- 2002-02-01
著者
-
斎木 敏治
神奈川科学技術アカデミー
-
鳥海 弥和
東大院総合
-
鳥海 弥和
東京大学大学院総合文化研究科相関基礎科学
-
SAIKI Toshiharu
Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University
-
斎木 敏治
慶応大 理工
-
TADOKORO Toshiyasu
Product Development Division, Spectroscopic Application Laboratory, JASCO Corporation
-
TORIUMI Hirokazu
Department of Chemistry, College of Arts and Science, The University of Tokyo
-
SATO Tetsuya
National Institute for fusion Science
-
斎木 敏治
慶應義塾大学理工学部 神奈川科学技術アカデミー
-
Toriumi Hirokazu
Department Of Chemistry College Of Arts And Science The University Of Tokyo
-
Tadokoro Toshiyasu
Product Development Division Spectroscopic Application Laboratory Jasco Corporation
-
Saiki Toshiharu
Department Of Applied Physics University Of Tokyo
関連論文
- 電磁波のエネルギーとは? 光の強度とは?
- 近接場光学による半導体光デバイスの評価
- 近接場光学顕微鏡による横方向p-n接合の評価
- 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
- 近接場波動関数マッピングの原理と半導体量子ドット分光への応用
- 28a-ZG-6 近接場顕微鏡によるポリシランナノストラクチャーの観測
- 26a-YN-4 ポリシラン分子の紫外近接場顕微鏡像
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pXQ-8 イオン打ち込み法で作製したCdS:Mnナノ粒子の単一ナノ粒子発光分光(領域5, 領域4合同招待講演,領域5(光物性))
- GaAs横方向P-n接合の近接場光学顕微鏡による発光特性評価
- 25pSB-10 InGaAs単一量子ドットの室温における弱励起下での発光観察
- 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
- ナノ光計測技術--近接場光学顕微鏡によるナノ物質観測
- 2D12 全反射エリプソメトリによる光配向膜の特性解析
- A122 ナノスケール熱物性値計測のための近接場光サーモリフレクタンス信号の高感度検出(マイクロ・ナノスケール2)
- 20pTH-11 ホール局在した n 型量子ドットアレーの近接場発光分光
- 31aYE-4 高分解能近接場光学顕微鏡による GaAs 量子ドットの励起子波動関数イメージング II
- 28pTB-12 量子ドット正方格子の空間分解発光スペクトル
- Nano-optical probing of exciton wave-functions confined in a GaAs quantum dot
- Near-Field Scanning Optical Microscopy of Quantum Dot Arrays
- 磁場環境下で動作する低温近接場光学顕微鏡の開発
- 近接場光を利用したナノスケール熱物性測定の研究 : 単層カーボンナノチューブを用いた予備的測定(熱工学,内燃機関,動力など)
- 20pWF-3 GaAs量子ドットに閉じ込められた励起子波動関数の近接場光イメージング(領域4,領域5合同シンポジウム : 半導体物性研究におけるイメージング計測の現状,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 近接場光学顕微鏡による高分解能/高感度イメージング (特集1 ガラスの分析評価技術)
- H125 近接場光を用いたナノスケール熱物性計測法の開発 : 第 2 報高分解能化の検討
- 近接場光学顕微鏡の原理と応用
- Design and Implementation of Near-Field Scanning Optical Microscope for Observation of Interfacial Liquid Crystal Orientation : Structure and Mechanical and Thermal Properties of Condensed Matter
- 20aRF-9 単一色素分子の近接場蛍光イメージングとその機構
- 20aRF-9 単一色素分子の近接場蛍光イメージングとその機構
- 1B16 近接場光学顕微鏡による界面液晶配向の電場応答解析(II)
- 1B15 近接場光学顕微鏡による界面液晶配向の電場応答解析(I)
- 24pRA-14 近接場光学顕微鏡を用いた単一色素分子の蛍究イメージング
- 近接場分光技術とその定量的評価観察への応用(近接場光学の最前線)
- 開口型プローブを用いた単一色素分子の近接場螢光イメージング
- 25aYH-6 単一量子ドットの近接場分光
- 近接場光学顕微鏡による単一粒子分光
- 低温近接場光学顕微鏡による単一量子ドットの発光分光
- フェムト秒レーザー励起を用いたGeSbTeにおける超高速相変化の誘起
- 光の検出方法は?
- 近接場光学顕微鏡の現状とナノイメージング分光への応用
- 近接場光学顕微鏡による半導体量子構造のイメージング分光
- GaAs量子ドットに閉じ込められた励起子波動関数の近接場光学マッピング
- 31a-H-3 強励起下におけるZnSe励起子系の時間分解分光
- 3C01 ^2H-NMR法による強誘電性液晶のコンホメーション解析
- Development of Nanoscale Thermal Properties Measurement Technique by Using Near-Field Optics(Micro Mechanical Engineering)
- Development of Nanoscale Thermal Properties Measurement Technique using Near-field Optics : 3^ report, A Preliminary Measurement using Single-Walled Carbon Nanotube
- B25-076 DEVELOPMENT OF NANOSCALE THERMAL PROPERTIES MEASUREMENT TECHNIQUE BY USING NEAR-FIELD OPTICS
- 2A09 SSFLC配向膜表面における分極反転ダイナミクスの解析
- 全反射エリプソメトリーによる界面液晶ダイナミクスの観察
- Two-Dimensional Analysis of Liquid Crystal Orientation at In-Plane Switching Substrate Surface Using a Near-Field Scanning Optical Microscope
- 大規模MD計算のための一般化 Lennard-Jones ポテンシャル
- 2PB05 フッ素化液晶分子のコンホメーション解析
- 1PA12 エリプソメトリーを用いたTNセルのねじれ角測定によるアンカリングエネルギー評価
- 時間分解分光エリプソメトリーを用いた液晶界面配向ダイナミクス解析
- 1B14 全反射エリプソメトリーによる液晶界面フリッカー現象の解析
- 1B13 エリプソメトリーによるネマティック液晶の電場応答解析
- 1A04 液晶性ビフェニルエステル類の分子動力学シミュレーション
- 液晶の分子シミュレーション (高精度分子設計と新素材開発--機能化学の新展開をめざして) -- (分子設計から材料設計へ)
- 2A08 全反射エリプソメトリーを用いた液晶配向膜界面における電場応答フリッカー現象の解析
- 2A07 色素添加反射エリプソメトリーによる極角アンカリング強度の評価
- PAb06 エリプソメトリー法によるSSFLCの応答特性の解析
- 分光エリプソメトリーによる液晶界面配向特性の解析
- 3A03 全反射エリプソメトリーによる界面液晶配向の電場応答の解析 (II)
- 3A02 全反射エリプソメトリーによる界面液晶配向の電場応答の解析 (I)
- 2A04 分子動力学計算による反強誘電性液晶分子MHPOBCのコンホメーション解析
- 26p-YC-5 高感度近接場光学顕微鏡による単一量子ドット分光
- 5p-J-6 単一量子ドットの低温近接場分光
- InGaAs単一量子ドットの近接場分光
- 近接場光学顕微鏡の基本性能とその応用分野
- FDTD Analysis of a Near-Field Optical Fiber Probe with a Double Tapered Structure(Special Issue on Near-Field Optics and Its Applications)
- Spatial Resolution of Near-Field Scanning Optical Microscopy with Sub-Wavelength Aperture
- 2A03 一般化Gay-Berneポテンシャル : 遺伝的アルゴリズムによるパラメーター最適化
- 1AE05 遺伝的アルゴリズムによるGay-Berneモデル分子のパラメーター決定
- モデル液晶分子のコンピューターシミュレーション
- 3G212 反強誘電性液晶の分子動力学シミュレーション
- Quantitative Analysis of Nematic Director Reorientation Dynamics Studied by Time-Resolved Spectroscopic Ellipsometry
- Dynamics of Surface-Stabilized Ferroelectric Liquid Crystals at the Alignment Layer Surface Studied by Total-Reflection Ellipsometry : Structure and Mechanical and Thermal Properties of Condensed Matter
- 1-9a 色素添加反射エリプソメトリーを用いた界面液晶配向の静的電場応答の解析
- 1-8b 偏光解析法を用いた液晶配向の動的電場応答の評価
- 分光エリプソメトリーによる液晶界面配向特性の解析
- 3PB05 温度可変PMSEの開発と応用
- 3PB04 分光エリプソメトリによる液晶界面配向の時間分解解析(II) : 色素ドープ反射エリプソメトリの定量解析
- 3PB03 ブリュースター角反射法によるネマチック液晶の界面配向解析
- 3PB02 全反射エリプソメトリー法による液晶界面配向の解析
- 27p-YB-9 フォトンSTMによる微小球近接場の観察
- Development of Nanoscale Thermal Properties Measurement Technique by using the Near-field Optics : 5^ report, Measurement of Thermophysical Properties with 500nm Spatial Resolution
- Coherent Dynamics of Excitons in an Island-Inserted GaAs/AlAs Quantum Well Structure : Suppression of Phase Relaxation and a Deep Quantum Beat
- ナノ領域の光と電子の相互作用
- 5a-K-1 フォトンSTMによる蛍光観測
- 29a-D-2 先鋭化光ファイバ・プローブの分光への応用
- 1A06 分光エリプソメトリによる液晶界面配向の時間分解解析
- 3AB01 液晶電場配向ダイナミクスのコンピュータシミュレーション解析
- 1C04 モデル液晶分子のモンテカルロ・シミュレーション
- 近接場光学の固体光物性への応用
- 近接場光学顕微鏡による半導体微細・量子構造の分光評価
- 近接場光学
- 近接場光学による量子構造評価
- 6pSA-11 高分解能近接場光学顕微鏡によるGaAs量子ドットの励起子波動関数イメージング(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)
- 26pPSA-50 SiO_2中に埋め込まれたGaAs量子ドットの発光特性(26pPSA,領域5(光物性分野))