近接場光学による半導体光デバイスの評価
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概要
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近接場光学顕微鏡によって横方向p-n接合の多角的評価をおこなう. 高分解能だけでなく高感度を確保するために設計・作製されたチップを用い, AFM動作による微細な表面形状の観察と同時にさまざまな光学特性を測定する. 空間分解フォトルミネッセンススペクトル測定により, p型からn型へ遷移するようすを試料形状と対応づけながら明確にする. さらに, エレクトロルミネッセンスの観察を通して, 発光の起こる活性領域の位置, 幅を評価し, 遷移領域との関連を講論する. また, 内部構造評価の手段として多波長励起フォトカレント測定をおこない, p-n界面の傾斜角を定量的に決定する. 最後に微小開口エバネッセント光と半導体試料との相互作用によるモード変換のプロセスについて簡単に触れる.
- 1996-10-25
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