n型半導体立方晶窒化ホウ素単結晶からの電界電子放出機構(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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窒化ホウ素表面の負または小さな電子親和力を有効に利用するために、n型立方晶窒化ホウ素単結晶からの電界電子放出特性を評価した。測定は、水素プラズマ処理後および真空熱処理後の二種類の表面を評価した。紫外線光電子分光法により、水素プラズマ処理および真空熱処理表面の電子親和力が、-1.1および+0.7eVと見積もられた。水素プラズマ処理および真空熱処理表面からの電界電子放出特性のしきい電圧は、3000および1300Vであった。水素プラズマ処理負の電子親和力表面は、電界電子放出特性は内部障壁に制限され、外部電界により内部障壁が低下し、負の電子親和力表面から電子が放出されることが示唆された。真空熱処理正の電子親和力表面は、電子親和力を電子がトンネルすることで真空中に放出されることがわかった。
- 2011-10-13
著者
-
長谷川 雅考
(独)産業技術総合研究所ナノチューブ応用研究センター
-
NEBEL Christoph
(独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
-
谷口 尚
物材研
-
谷口 尚
物質・材料研究機構 物質研究所
-
谷口 尚
物質・材料研究機構
-
谷口 尚
(独)物質・材料研究機構ナノスケール物質萌芽ラボ 超高圧グループ
-
NEBEL Christoph
Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics
-
工藤 唯義
国際基督教大学物質科学デパートメント
-
増澤 智昭
国際基督教大学物質科学デパートメント
-
岡野 健
国際基督教大学物質科学デパートメント
-
山田 貴壽
産業技術総合研究所ナノチューブ応用研究センター
-
谷口 尚
NIMS
-
谷口 尚
物質・材料研究機構 超高圧グループ
-
山田 貴寿
青山学院大学理工学部
-
工藤 唯義
筑波大学大学院数理物質科学研究科:国際基督教大学物質科学デパートメント
-
谷口 尚
物質・材料研究機構 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ
-
増沢 智昭
国際基督教大学
-
岡野 健
国際基督教大学
-
工藤 唯義
国際基督教大学
-
長谷川 雅考
(独)産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター
-
山田 貴壽
(独)産業技術総合研究所ナノチューブ応用研究センター
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