高濃度リン添加ダイヤモンドからの電子放出の真空熱処理温度依存性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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高濃度リン添加ダイヤモンドを真空熱処理し,電界電子放出特性とX線光電子分光(XPS)法測定の結果の相関を調べた.比較表面として,溶液酸化処理表面を用いた.900℃までの熱処理では,電界電子放出特性のしきい値電圧が低電圧側にシフトし,さらに高い温度での熱処理によりしきい値電圧は高電圧側にシフトすることがわかった.これは,900℃までの熱処理温度では,ダイヤモンド表面からの酸素の脱離が生じ,正の電子親和力の値が小さくなったためであると考えられる.一方,より高温での熱処理では表面のグラフィテックカーボン化が生じるために,実効的な電位障壁が高くるためであると推察される.
- 2007-07-27
著者
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山田 貴壽
(独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
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SOMU Kumaragurubaran
(独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
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NEBEL Christoph
(独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
-
鹿田 真一
(独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
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鹿田 真一
(独)産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究ラボ
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山田 貴壽
(独)産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター
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