負の電子親和力を有するn型半導体ダイヤモンドからの電界電子放出機構(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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ダイヤモンド表面の負の電子親和力(NEA)を有効に利用するために、n型半導体ダイヤモンドNEA表面からの電界電子放出特性を評価した。紫外線光電子分光法により、水素プラズマ処理後の表面がNEAを有することを確認した。測定系のアノード電極とダイヤモンド表面間の距離をパラメータとして、電界電子放出特性を測定し、真空中での電圧降下を見積もった。その結果、n型半導体ダイヤモンドNEA表面からの電界電子放出には、数10V/μm以上の電界を表面に印加する必要があった。このような高電界は、表面近傍に存在する電位障壁高さの低減に必要であることがわかった。さらに、表面の内部障壁高さが約3.3eVと見積もることができた。
- 2010-10-18
著者
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長谷川 雅考
(独)産業技術総合研究所ナノチューブ応用研究センター
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山田 貴壽
(独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
-
NEBEL Christoph
(独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
-
NEBEL Christoph
Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics
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工藤 唯義
国際基督教大学物質科学デパートメント
-
山口 尚登
国際基督教大学物質科学デパートメント
-
増澤 智昭
国際基督教大学物質科学デパートメント
-
岡野 健
国際基督教大学物質科学デパートメント
-
山田 貴壽
産業技術総合研究所ナノチューブ応用研究センター
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山田 貴寿
青山学院大学理工学部
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工藤 唯義
筑波大学大学院数理物質科学研究科:国際基督教大学物質科学デパートメント
-
岡野 健
国際基督教大学
-
工藤 唯義
国際基督教大学
-
増澤 智昭
国際基督教大学
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山田 貴壽
(独)産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター
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長谷川 雅考
(独)産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター
-
山田 貴壽
(独)産業技術総合研究所ナノチューブ応用研究センター
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