ダイヤモンドからの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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(111) n型ダイヤモンドの表面を処理して、水素終端、酸素終端、再構成表面(炭素終端)を作り、電子放出特性を調べた。その結果、電子放出電界が、各々44、28、16V/μmであり、低い正の電子親和力を有する再構成表面からの放出が最も低かった。再構成表面の試料のFNプロットから、低電界ではCBからの電子、高電界ではドナーレベルからの電子放出が支配的であることが、推定された。また再構成表面は、長時間放出の安定性に優れることも確認した。水素や酸素終端の場合実用上終端表面を保持することが困難であるが、再構成表面は通電アニールにより容易に再生可能であり、実用上も好ましいと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-07-27
著者
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山田 貴壽
(独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
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鹿田 真一
(独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
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ネーベル クリストフ
(独)産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
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鹿田 真一
(独)産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究ラボ
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山田 貴壽
(独)産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター
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