リン添加ダイヤモンドナノチップアレーからの電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
酸素プラズマエッチングと気相成長(CVD)法により,リン添加ダイヤモンドチップアレーを作製し,電界電子放出特性を評価した.チップ先端の極率半径は約200nmであり,チップ高さは10μm程度であった.作製したチップアレーおよび平坦成長面からの電界電子放出特性を比較した.測定は真空アニール表面からの特性を評価した.チップアレー構造のしきい値電界は,平坦面に比べ低いことが確認できた.しかし,高電界領域ではエミッション電流の飽和傾向が観測された.さらに,チップアレー構造からのエミッション電流の経時変化は平坦面に比べ安定であることがわかった.
- 2008-07-28
著者
-
山田 貴壽
(独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
-
NEBEL Christoph
(独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
-
鹿田 真一
(独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
-
鹿田 真一
(独)産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究ラボ
-
山田 貴壽
(独)産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター
関連論文
- ダイヤモンド単結晶の基礎音響特性および格子定数測定(非線形・一般)
- 高濃度リン添加ダイヤモンドからの電子放出の真空熱処理温度依存性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- リン添加ダイヤモンドナノチップアレーからの電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 負の電子親和力を有するn型半導体ダイヤモンドからの電界電子放出機構(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 1P320 ダイヤモンド上への高強度かつ生物活性に優れるアミノシラン多層膜の形成(バイオエンジニアリング、計測,口頭発表,第45回日本生物物理学会年会)
- ダイヤモンドからの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ダイヤモンドからの電子放出
- ダイヤモンドを用いた次世代パワーデバイスの開発
- n型半導体立方晶窒化ホウ素単結晶からの電界電子放出機構(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- リアルタイム光電子分光によるグラフェン・オン・ダイヤモンド形成過程の観察 (第31回表面科学学術講演会特集号(2))
- ダイヤモンドの特性を活用したデバイスの開発
- 大面積低温合成グラフェンの透明導電膜応用
- リアルタイム光電子分光によるグラフェン・オン・ダイヤモンド形成過程の観察
- 1P1-8 大型ダイヤモンドウェハの開発(ポスターセッション)
- アモルファスセレンとダイヤモンド冷陰極を用いた光検出器の評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)