窒化ホウ素単結晶の高圧合成
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概要
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In this article, current status of high-pressure synthesis of boron nitride single crystals and their properties were reviewed. In the viewpoint of the nature of the wide band gap semiconductor, cBN has promising potential so as to be easily fabricated p-n domain. The intrinsic properties of cBN has not yet been, however, realized due to their defects and impurities. By using Ba-BN solvent system, high purity single crystals of cubic and also hexagonal BN can be obtained. In particular, high purity hBN single crystals exhibit promising nature as a new candidate of deep ultraviolet-light emitter. Further study to realize semiconducting nature in hBN is important for the future work.
- 日本高圧力学会の論文
- 2005-11-20
著者
-
中山 敦子
新潟大超域
-
谷口 尚
物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ
-
渡邊 賢司
物質・材料研究機構
-
渡邊 賢司
物材機構
-
中山 敦子
物質・材料研究機構 物質研究所
-
谷口 尚
物質・材料研究機構 物質研究所
-
谷口 尚
物質・材料研究機構
-
谷口 尚
(独)物質・材料研究機構ナノスケール物質萌芽ラボ 超高圧グループ
-
谷口 尚
NIMS
-
谷口 尚
物質・材料研究機構 超高圧グループ
-
谷口 尚
物質・材料研究機構 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ
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