六方晶窒化ホウ素の遠紫外発光特性と発光デバイス応用への可能性(光記録及び磁気記録一般)
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概要
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最近、六方晶窒化ホウ素(hBN)において215nmをピークとする高効率な遠紫外発光バンドが見いだされ、六方晶窒化ホウ素が直接遷移型の半導体であることが示唆されている。本報では、この新しい遠紫外発光材料としての六方晶窒化ホウ素のバンド端における光学特性について紹介し、この物質を利用した遠紫外発光デバイスの可能性について考える。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-03
著者
-
渡邊 賢司
物材機構
-
神田 久生
物材機構
-
黒田 隆
独立行政法人物質・材料研究機構
-
渡邊 賢司
独立行政法人物質・材料研究機構
-
谷口 尚
独立行政法人物質・材料研究機構
-
神田 久生
独立行政法人物質・材料研究機構
-
谷口 尚
物質・材料研究機構 物質研究所
-
谷口 尚
物質・材料研究機構
-
谷口 尚
物質・材料研究機構 超高圧グループ
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