高圧温度差法による立方晶BN単結晶育成(<小特集>バルク窒化物半導体)

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概要

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• Single crystals of cubic boron nitride grown under high pressure using temperature gradient method are described. By using single crystal of diamond as a seed crystal, CBN single crystal was reproducibly grown on the diamond surface. The growth rate and its rate controlling factor are compared with those of diamond growth. Although crystals obtained by spontaneous nucleation often have poor quality including cracks and/or twining, apparently flawless crystals are occasionally obtained. This implies that there is some unknown condition to optimize the nucleation and subsequent growth process in the growth circumstance . Prospects in obtaining high-quality large CBN single crystals are, then, discussed.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1998-09-30

著者

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 物質研究所

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構

• 谷口 尚

  (独)物質・材料研究機構ナノスケール物質萌芽ラボ 超高圧グループ

• 谷口 尚

  NIMS

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 超高圧グループ

• 谷口 尚

  科学技術庁無機材質研究所

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ

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