グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果(機能ナノデバイス及び関連技術)

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概要

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• 高移動度グラフェン/h-BNのバリスティック伝導に起因する磁気抵抗効果を調べた。バリスティックに伝導するディラックフェルミオンが伝導チャネル端で拡散的に散乱されることにより生じる磁気抵抗のピーク構造を観測した磁気抵抗ピークにおけるサイクロトロン半径と伝導チャネル幅の整合係数は半導体二次元電子系とは異なる値を取り、グラフェン特有の端散乱の存在を示唆しているグラフェン/h-BNにおけるサイクロトロン共鳴により生じる光起電力効果についても議論する.

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-02-20

著者

• 町田 友樹

  東京大学生産技術研究所

• 増渕 覚

  東京大学生産技術研究所

• 荒井 美穂

  東京大学生産技術研究所

• 山口 健洋

  東京大学生産技術研究所

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 超高圧グループ

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ

• 谷口 尚

  物質材料研究機構

• 大貫 雅広

  東大生産研

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子

• 渡邊 賢司

  物質材料研究機構

• 大貫 雅広

  東京大学生産技術研究所

• 井口 和之

  東京大学生産技術研究所

• 森川 生

  東京大学生産技術研究所

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