研究開発現場の激震対策
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性
-
27aYM-2 ダイヤモンドの燐ドナーの電子スピン共鳴 : 構造と電子状態(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
-
科学解説 n形ダイヤモンドの合成と発光素子への応用
-
共焦点光学系を利用したヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜のラマン分光分析
-
気相合成ダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
-
2050年のダイヤモンド将来展望--パワーデバイス・原子力応用・量子などを中心に
-
薄膜・表面
-
気相成長ダイヤモンドからの電子放出機構の解明
-
学会だより 第20回ダイヤモンドシンポジウム
-
つくばエキスポセンター
-
科学解説 リンドープn形ダイヤモンドのオーミック電極
-
ダイヤモンド薄膜合成に関する最近の話題 (機能性炭素化合物に関する研究)
-
ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長
-
気相からのダイヤモンド薄膜の成長
-
n型半導体ダイヤモンドの合成と評価 (特集 ダイヤモンド)
-
立方晶窒化ホウ素表面におけるダイヤモンド初期成長層の形成とその電子放出特性の評価
-
22pGQ-12 イオン照射によるダイヤモンド結晶中の窒素空孔センターの生成(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
透明半導体としてのダイヤモンド
-
研究開発現場の激震対策
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク