n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))

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概要

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リンドープのn型ホモエビタキシャルダイヤモンドを用いてプレーナー型のショットキーダイオードを作成し、I-V、C-V測定によるダイオードの電気的な特性、ドナーの特性および金属の仕事関数とバリア高さの関係等について、系統的に評価を行った結果について報告する。室温から773Kまでの広い温度領域で良好なダイオード特性が得られた。C-V特性から、ダイヤモンド中のリンの電気的な活性化率がリン濃度1.6×10^<19>〜2.3×10^<18>cm^<-3>においてほぼ1に近いことが示された。また、ショットキーパリアの高さは〜4.3eVで金属の仕事関数に依存せず、金属/ダイヤモンド界面でのフェルミ準位のピニングが示唆された。
社団法人電子情報通信学会の論文
2006-05-11

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