酒井 忠司 | (株)東芝 研究開発センター
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概要
関連著者
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酒井 忠司
(株)東芝 研究開発センター
-
酒井 忠司
株式会社東芝 研究開発センター
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佐久間 尚志
株式会社東芝 研究開発センター
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鈴木 真理子
株式会社東芝 研究開発センター
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吉田 博昭
株式会社東芝 研究開発センター
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小野 富男
株式会社東芝 研究開発センター
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張 利
(株)東芝研究開発センター
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小泉 聡
独立行政法人 物質・材料研究機構
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片桐 雅之
筑波大学
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鈴木 健聡
(株)東芝研究開発センター
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小泉 聡
物材機構
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小泉 聡
無機材質研究所
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張 利
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小泉 聡
物質・材料研究機構物質研究所
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小泉 聡
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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山崎 雄一
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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安藤 豊
青学大理工
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澤邊 厚仁
青学大理工
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和田 真
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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梶田 明広
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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坂田 敦子
(株)東芝セミコンダクター社
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澤邊 厚仁
青山学院大学理工学部
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澤邊 厚仁
青山学院大
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安藤 豊
青山学院大学理工学部
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坂田 敦子
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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北村 政幸
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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梶田 明広
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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和田 真
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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斎藤 達朗
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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片桐 雅之
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
-
伊東 伴
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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西出 大亮
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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松本 貴士
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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磯林 厚伸
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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鈴木 真理子
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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渡邉 勝仁
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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佐久間 尚志
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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酒井 忠司
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
著作論文
- ITRS 2007における Beyond CMOS 材料探索
- 技術解説 ダイヤモンド薄膜の冷陰極放電灯応用
- LCDバックライト用冷陰極蛍光ランプへのダイヤモンド放電陰極の応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ヘテロエピダイヤモンドのナノ構造制御と電子放出特性の評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ヘテロエピダイヤモンドのナノ構造制御と電子放出特性の評価
- n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性
- ダイヤモンド薄膜のバックライト放電灯陰極応用 (特集/最近のセラミックス薄膜)
- ダイヤモンド薄膜の放電灯陰極応用
- イオン注入ダイヤモンドからの大電流密度電子放出
- ポーラスSiへの不純物拡散による発光ダイオード作製及び評価
- ポーラスSiの陽極酸化EL発光評価と微細構造解析
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- LSIやメモリの高集積化を目指すナノカーボン配線技術
- ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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