LSIやメモリの高集積化を目指すナノカーボン配線技術

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

著者

• 酒井 忠司

  (株)東芝 研究開発センター

• 山崎 雄一

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

関連論文

• ITRS 2007における Beyond CMOS 材料探索
• 技術解説 ダイヤモンド薄膜の冷陰極放電灯応用
• LCDバックライト用冷陰極蛍光ランプへのダイヤモンド放電陰極の応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• ヘテロエピダイヤモンドのナノ構造制御と電子放出特性の評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• ヘテロエピダイヤモンドのナノ構造制御と電子放出特性の評価
• n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性
• ダイヤモンド薄膜のバックライト放電灯陰極応用 (特集/最近のセラミックス薄膜)
• ダイヤモンド薄膜の放電灯陰極応用
• イオン注入ダイヤモンドからの大電流密度電子放出
• ポーラスSiへの不純物拡散による発光ダイオード作製及び評価
• ポーラスSiの陽極酸化EL発光評価と微細構造解析
• ポーラスSiへの不純物拡散による発光ダイオード作製及び評価
• ポーラスSiの陽極酸化EL発光評価と微細構造解析
• LSIやメモリの高集積化を目指すナノカーボン配線技術
• NDNC 2008
• ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して
• ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク