ポーラスSiへの不純物拡散による発光ダイオード作製及び評価
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概要
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ポーラスシリコン(PS)の微細構造を保持しながら基本的な不純物であるボロン及びリンの拡散を試み、微細構造と不純物分布を独立に制御することに成功した。これにより、発光特性を保ったままポーラスシリコン層の抵抗率を低減することができた(ITO/PS接合発光素子の抵抗を2桁以上低減)。さらに層の一部の領域の伝導型を選択的に転換して、PS層中にn+p型の均質なホモpn接合を形成することに成功した。このpn接合はシリーズ抵抗の小さい良好なダイオード特性とともに、PSとして世界で最も低電圧の0.66Vからの注入発光を、シリコンフォトダイオードにより確認することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-04-21
著者
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