イリジウム下地表面への選択成長法を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの作製 : 高品質ダイヤモンド実現に向けた取り組み
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2013-01-31
著者
-
澤邊 厚仁
青山学院大
-
児玉 英之
青山学院大学 理工学部
-
安藤 豊
トーメイダイヤ(株)
-
桑原 潤史
青山学院大学
-
鈴木 一博
トウプラスエンジニアリング(株)
-
前田 真太郎
青山学院大学
-
鎌野 崇
青山学院大学
-
篠崎 元太
青山学院大学
-
木村 清貴
青山学院大学
-
鷲山 瞬
青山学院大学
-
市原 幸雄
青山学院大学
-
児玉 英之
青山学院大学
関連論文
- ヘテロエピダイヤモンドのナノ構造制御と電子放出特性の評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ヘテロエピダイヤモンドのナノ構造制御と電子放出特性の評価
- 321 パルスレーザ・アブレーションを用いた硬質表面薄膜の加工
- IrO_2電極膜上におけるPZTの配向成長
- IrO_2電極膜上におけるPZTの配向成長
- 青山学院大学理工学部 澤邊研究室
- ダイヤモンド薄膜の新しい機能とその可能性 -冷陰極を中心に-
- 電子線及び直流プラズマCVDによるダイヤモンド膜(超硬質薄膜形成技術の新展開)
- Ir(001)基板上にエピタキシャル成長したダイヤモンド薄膜の微細構造
- 気相成長ダイヤモンドからの電子放出機構の解明
- 17pA04 ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長技術(機能性材料ダイヤモンド,バルク成長シンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 応用物理とものづくり : 応用物理学会と産業界の一層の連携を目指して
- ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- IrO 電極膜状におけるPZT の配向成長 (高機能性を有する無機薄膜材料)
- ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の開発とそのデバイス応用
- インプリント用ダイヤモンド膜の開発
- 直流放電を用いた気相成長法によるダイヤモンド薄膜の作製と評価
- イリジウム下地表面への選択成長法を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの作製 : 高品質ダイヤモンド実現に向けた取り組み(ダイヤモンド成長)
- イリジウム下地表面への選択成長法を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの作製 : 高品質ダイヤモンド実現に向けた取り組み