サブクォータミクロン世代のCMOS素子に対応したTiサリサイドとCoサリサイドプロセスの比較評価

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概要

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最適化されたTiサリサイドとCoサリサイドプロセスの比較評価を行った.プリアモルファス化プロセス若しくはインタミキシングプロセスでTiサリサイドを形成すると細線効果を抑制できるが, インタミキシングプロセスで形成したトランジスタのしきい値電圧は不安定になるので, プリアモルファス化プロセスの方が優れている.一方, Coサリサイドプロセスはプリアモルファス化プロセスを用いなくても細線効果は生じない.CoSi_2上に接続孔を形成するとき, CoSi_2はTiSi_2に比べてエッチングされにくいが, Arイオンスパッタエッチングに対する耐性がTisi_2に比べて低い.トランジスタプロセスに適用する場合, 接続孔内の前処理としてICPソフトエッチングを用いるとCoSi_2に対するアタックが小さく安定したコンタクト特性が得られる.
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-03-25

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