ECR CVD Tiの成膜特性とコンタクト形成
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
TiCl_4のH_2プラズマ還元を用いたECRプラズマCVD Tiの成膜特性を検討した。Tiの成長はTiCl_4, H_2ガス流量比により大きく変化し、アモルファス状のTiがホール底に厚く成長することが見いだされた。これは、今後の微細コンタクト形成に有利と言える。またECRプラズマCVD TiをSi拡散層とのコンタクトに適用し、Ti成膜時に、すでにTiシリサイド層が形成され、オーミックコンタクトが得られることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-28
著者
-
角 博文
ソニー
-
角 博文
ソニー(株)セミコンダクターカンパニー
-
角 博文
ソニー株式会社
-
宮本 孝章
ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超LSI研究所
-
宮本 孝章
ソニー超LSI研究所
-
角 博文
ソニー半導体事業本部
-
菅野 幸保
ソニー半導体事業本部
-
角 博文
ソニー株式会社scnイメージングデバイスカンパニー
-
菅野 幸保
ソニー(株)セミコンダクターカンパニー
関連論文
- 高画質CMOSイメージセンサ(高機能イメージセンシングとその応用)
- A Column-Based Pixel-Gain-Adaptive CMOS Image Sensor for Low-Light-Level Imaging(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 適応ゲインカラム増幅に基づく高感度CMOSイメージセンサ
- 情報センシング
- FD-Driving型CMOSイメージセンサとその低電圧駆動技術(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
- FD-Driving 型CMOSセンサとその低電圧駆動技術
- CMOSイメージセンサの高画質化とアプリケーション
- CMOSイメージセンサの高画質化とアプリケーション
- 簡素で効果的な固定パターンノイズ抑圧を実現したCMOSイメージセンサの動作解析
- 低ノイズ化を実現した新画素構造のHAD型CMOSイメージセンサの開発(イメージセンシング技術)
- 自己相関関数を用いたイメージセンサの1/fノイズ低減
- 自己相関関数を用いたイメージセンサの1/fノイズ低減(高精細画像の処理・表示,及び一般)
- 1995国際固体素子,材料コンファレンス
- ISSCC2009 Medical Image Sensors Forum報告(固体撮像技術および一般)
- ECRプラズマCVD法によるTi製膜とコンタクトへの適用
- ECRプラズマCVD法によるTiN/Ti膜の形成とコンタクトへの適用
- カラー動画撮像と実時間3次元計測が可能なCMOSセンサー(固体撮像技術および一般)
- サブクォータミクロン世代のCMOS素子に対応したTiサリサイドとCoサリサイドプロセスの比較評価
- ECR CVD Tiの成膜特性とコンタクト形成
- CMOSイメージセンサの高画質技術(高機能化・高性能化が進む撮像デバイス)
- 高画質CCDとCMOSイメージセンサに関する技術動向
- 高画質CCDとCMOSイメージセンサに関する技術動向(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
- 低ノイズ化を実現した新画素構造のHAD型CMOSイメージセンサの開発
- Arイオンソフトエッチングを用いた微細接続孔内の自然酸化膜除去効果
- モンテカルロシュミレーションを用いた、次世代CMOSデバイス対応ソフトエッチコンタクトプロセスの開発
- コリメートスパッタ法で形成したTiN膜の特性
- 12p-Y-3 AESおよびDAPS法によるSi蒸着薄膜と金属の初期界面反応
- 1-1. 情報センシング(1. 画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報〜2008年4月から2010年3月の進展〜)
- 光り輝く日本のイメージセンサ技術とその応用の今後の取組み(特別寄稿)