モンテカルロシュミレーションを用いた、次世代CMOSデバイス対応ソフトエッチコンタクトプロセスの開発
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概要
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メタライゼーションの前処理として、ICPソフトエッチを用いた新しいコンタクトプロセスを開発した。これは、微細な接続孔内におけるSi基板上の自然酸化膜を効果的に除去できる、イオンエッチングを伴ったメタライゼーションのin-situ前処理プロセスである。特に、高密度、低加速イオンエネルギーを実現できるICP装置を用いることで、低コンタクト抵抗、低接合リークの状態を維持できる。又、CMOSにおける薄いゲート酸化膜の信頼性にも影響を及ぼさない。ソフトエッチプロセスはモンテカルロシュミレーションを用いて最適化され、本シミュレーションからイオンエッチングにおける加速エネルギーを低く保つことで、微細接続孔側壁からの再スパッタを防止でき、安定したオーミック接合を確保できることをメカニズム的に解明した。さらに0.1μm径でアスペクト比6の接続孔まで均一に自然酸化膜を除去できることがシミュレーションよりわかった。
- 1995-07-28
著者
-
徳高 平蔵
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
岸田 悟
鳥取大学大学院工学研究科
-
岸田 悟
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
岸田 悟
鳥取大 工
-
角 博文
ソニー
-
角 博文
ソニー(株)セミコンダクターカンパニー
-
角 博文
ソニー株式会社
-
監物 秀憲
ソニー(株)セミコンタクタカンパニー第1LSI部門
-
SASSERATH Jay
Materials Research Corp.
-
角 博文
ソニー(株) コアテクノロジー&ネットワークカンパニー Sc Ccdシステム事業部 Ccd商品部
-
角 博文
ソニー株式会社scnイメージングデバイスカンパニー
-
柳田 敏治
ソニー(株)、セミコンダクターカンパニー、第1LSI部門、デバイス開発部
-
菅野 幸保
ソニー(株)、セミコンダクターカンパニー、第1LSI部門、デバイス開発部
-
菅野 幸保
ソニー(株)セミコンダクターカンパニー
-
柳田 敏治
ソニー(株)セミコンダクターカンパニー
-
徳高 平蔵
鳥取大学工学部
-
Sasserath Jay
Materials Research Corporation
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