大面積透明フレキシブルオールGaドープZnO抵抗変化メモリ(ReRAM)の作製と評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Fabrication of Flexible Transparent Resistive Random Access Memory (FT-ReRAM) which consists of Ga-doped ZnO (GZO) film not only as a memory layer but also as electrodes on the large Poly Ethylene Naphthalate (PEN) sheet was attained by introducing RF plasma assist DC magnetron sputtering method. The averaged transmittance in the visible region (400-800 nm) was 72%. The resistance change effect without morphological change was confirmed by using conducting atomic force microscope (C-AFM). Stable and repeatable bi-polar resistive switching by applying the voltage less than 2.5 V was confirmed in the all-GZO-FT-ReRAM. The present work showed the high applicability of the all-GZO-FT-ReRAM to achieve flexible transparent devices for the next generation.
- 2010-03-20
著者
-
大観 光徳
鳥取大学工学部
-
岸田 悟
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
岸田 悟
鳥取大学大学院工学研究科
-
奥谷 匠
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
木下 健太郎
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
田中 隼人
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
牧野 達也
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
檜木 利雄
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
岸田 悟
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
大観 光徳
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
岸田 悟
鳥大工
-
岸田 悟
鳥取大 大学院工学研究科
-
岸田 悟
鳥取大学電子ディスプレイ研究センター
関連論文
- 青色無機EL材料Ba_2SiS_4:Ceの成膜・アニール方法の検討(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青緑色発光ZnS:Cu,Cl薄膜蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青色無機EL材料Ba_2SiS_4:Ceの成膜・アニール方法の検討(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- スピンコーティング法による(Ba,Sr)TiO_3絶縁層を用いた薄膜EL素子の作製とエージング特性の評価
- スピンコーティング法による(Ba,Sr)TiO_3絶縁層を用いた薄膜EL素子の作製とエージング特性の評価(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- GaドープZnO薄膜における不揮発性抵抗変化現象の成膜雰囲気依存性
- 大面積透明フレキシブルオールGaドープZnO抵抗変化メモリ(ReRAM)の作製と評価
- 高周波マグネトロンスパッタ法によるBaTiO_3/Pt自立膜の作製と評価
- SrS:Ce薄膜EL素子におけるCe^発光特性に対するH_2O供給の効果
- 電子線蒸着法により作製したCaS:Tb^緑色薄膜EL素子の基礎的研究
- SrS : Ce薄膜EL素子におけるCe^発光特性に対するH_2O供給の効果
- 電子線蒸着法により作製したCaS : Tb_緑色薄膜EL素子の基礎的研究
- Pulsed Laser Deposition法による硝酸塩蛍光体薄膜の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- PDP用青色蛍光体CaMgSi_2O_6:Eu^におけるGd共添加による発光特性の改善(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrS:Ce薄膜EL素子におけるCe^発光特性に対するH_2O供給の効果(発行型/非発行型ディスプレイ合同研究会)
- 電子線蒸着法により作製したCaS:Tb^緑色薄膜EL素子の基礎的研究(発行型/非発行型ディスプレイ合同研究会)
- SrS:Ce薄膜EL素子のアルカリ金属添加によるSr欠陥の補償効果(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrS:Ce薄膜EL素子の作製時における成長槽内の残留水分の影響(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrS:Ce薄膜EL素子のアルカリ金属添加によるSr欠陥の補償効果
- SrS:Ce薄膜EL素子の作製時における成長槽内の残留水分の影響
- 複数の希土類元素を添加したCaMgSi_2O_6,を母体とする蛍光体の発光特性(映像入出力および一般)
- 紫外発光蛍光体の混合によるCaMgSi_2O_6:Eu蛍光体の真空紫外波長域における励起特性改善の試み
- 液相合成法による真空紫外励起用珪酸塩蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 紫外発光蛍光体の混合によるCaMgSi_2O_6:Eu蛍光体の真空紫外波長域における励起特性改善の試み(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青緑色発光ZnS:Cu,Cl薄膜蛍光体の作製
- 青色蛍光体材料Ba_2SiS_4:Ceにおける発光特性の改善
- Ba_2SiS_4:Ce青色薄膜EL素子の作製と評価
- 青色蛍光体材料Ba_2SiS_4:Ceにおける発光特性の改善(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Ba_2SiS_4:Ce青色薄膜EL素子の作製と評価(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Xe_2分子線励起用CaLa_4Si_3O_:Tb^緑色PDP蛍光体の作製と評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrS:Ce薄膜EL素子のアルカリ金属添加によるSr欠陥の補償効果
- SrS:Ce薄膜EL素子の作製時における成長槽内の残留水分の影響
- 青色蛍光体材料Ba_2SiS_4:Ceにおける発光特性の改善
- 青色発光CaMgSi_2O6:Eu^蛍光体を用いた試作PDPパネルの発光特性
- 新しいPDP青色蛍光体を目的としたCaMgSi_2O_6:Eu^の劣化特性(映像入出力および一般)
- 青色発光CaMgSi_2O_6:Eu^蛍光体を用いた試作PDPパネルの発光特性
- 真空紫外線励起用蛍光体CaMgSi_2O_6:Eu^の発光特性
- 真空紫外線励起用蛍光体CaMgSi_2O_6:Eu^の発光特性
- 青色無機EL材料Ba_2SiS_4:Ceの成膜・アニール方法の検討
- 無機ELディスプレイ用硫化物蛍光体の開発動向 : 低温プロセスを目差した材料開発
- Ba_2ZnS_3:Mn赤色薄膜EL素子の作製と評価
- Ba_2ZnS_3:Mn赤色薄膜EL素子の作製と評価
- Ba_2ZnS_3:Mn赤色薄膜EL素子の作製と評価(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- BaS:Mn^緑色薄膜EL素子の基礎的研究
- BaS:Mn^緑色薄膜EL素子の基礎的研究
- BaS:Mn^緑色薄膜EL素子の基礎的研究(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- BaS:Mn^緑色薄膜EL素子の基礎的研究
- Rb添加によるSrS:Ce薄膜EL素子の青色純度とEL動作の安定性の改善(材料・デバイス連合研究会)
- Rb添加によるSrS : Ce薄膜EL素子の青色純度とEL動作の安定性の改善
- Sr/S組成の制御によるSrS:Ce薄膜EL素子の高発光効率化
- 青緑色発光SrS:Ce無機薄膜EL素子の作製と評価Sr、 S欠陥の制御
- 青緑色発光SrS:Ce無機薄膜EL素子の作製と評価 : Sr、S欠陥の制御
- C-9-3 ケイ酸塩蛍光体CaMgSi_2O_6:Eu^のPDP用としての実用の可能性
- C-9-3 プラズマディスプレイ用途を目指した青色発光ケイ酸塩蛍光体
- BaTiO_3厚膜絶縁層を有するSrS:Ce Hybrid EL素子におけるH_2S供給方法の検討
- 青色EL材料SrS:Ce薄膜の作製温度の検討
- BaTiO_3厚膜絶縁層を有する SrS:Ce Hybrid EL 素子におけるH_2S供給方法の検討
- 青色EL材料SrS:Ce薄膜の作製温度の検討
- BaTiO_3厚膜絶縁層を有するSrS:Ce Hybrid EL素子におけるH_2S供給方法の検討
- 青色EL材料SrS:Ce薄膜の作製温度の検討
- C-9-2 レーザプルーム発光分光を用いたPLD法におけるZnO:Zn蛍光体薄膜作製条件の最適化
- C-9-1 真空紫外線励起用青色発光Eu付活CaMgSi_2O_6蛍光体
- PDP用青色蛍光体を目指したEu^付活アルミン酸塩の作製と評価
- EID2000-29 PDP用青色蛍光体を目指したEu^付活アルミン酸塩の作製と評価
- 28a-ZA-7 レーザアブレーションによるZnO:Zn蛍光体薄膜の作製及び評価(II)
- 電子線蒸着法による青色発光SrS:Cu薄膜EL素子の作製と評価 : Cu添加濃度と熱処理の効果
- SrS:Ce薄膜EL素子の動作機構の解析 : 空間電荷特性の温度依存性
- SrS:Ce薄膜EL素子の発光スペクトルの制御 : 薄膜中のCe濃度と電荷補償剤Naの効果
- 異なる蛍光寿命を持つ蛍光体混合物を用いたPDPの発光特性の評価
- アクティブマトリックスELディスプレイパネルにおける階調表示の検討
- 3)青緑色発光SrS : Ce薄膜エレクトロルミネッセンス素子のエージング特性の評価([情報センシング研究会 情報ディスプレイ研究会]合同)
- 青色EL発光材料SrS : Ce, SrS : Cuの発光特性の基礎的評価
- 2)II族元素の添加によるSrS : Ce薄膜EL素子のEL特性の改善(情報ディスプレイ研究会)
- 青緑色発光SrS : Ce薄膜エレクトロルミネッセンス素子のエージング特性の評価
- 青緑色発光SrS:Ce薄膜エレクトロルミネッセンス素子のエージング特性の評価
- II族元素の添加によるSrS : Ce薄膜EL素子のEL特性の改善
- II族元素の添加によるSrS:Ce薄膜EL素子のEL特性の改善
- 28p-ZB-13 色素レーザ照射によるSrS:Ce薄膜EL素子の電気的特性の評価(II)
- 28p-ZB-12 分極消去用パルス電圧を用いたSrS:Ce薄膜EL素子の動作特性の検討(II)
- アクティブマトリックスEL(AMEL)ディスプレイにおける階調表示の検討
- 薄膜ELディスプレイの階調表示に関する検討
- 付加パルスを用いた薄膜ELディスプレイの駆動方式(III)
- アクティブマトリックスEL (AMEL) ディスプレイにおける階調表示の検討
- 薄膜ELディスプレイの階調表示に関する検討
- 付加パルスを用いた薄膜ELディスプレイの駆動方式(III)
- 付加パルスを用いた薄膜ELパネルの駆動方式(II)
- 薄膜ELパネルの回路モデルとSPICEによるシミュレーション
- 6)付加パルスを用いた薄膜ELパネルの駆動方式(情報ディスプレイ研究会)
- 付加パルスを用いた薄膜ELパネルの駆動方式
- 9)台形波パルス電圧印加による薄膜EL素子の特性評価(情報ディスプレイ研究会)
- 8)電子線蒸着法によって高イオウ圧雰囲気中で作製したSrS : Ce薄膜EL素子(情報ディスプレイ研究会)
- 台形波パルス電圧印加による薄膜EL素子の特性評価
- 電子線蒸着法により高イオウ圧雰囲気中で作製したSrS:Ce薄膜EL素子
- 10)ZnS : Mn薄膜EL素子のQ-V特性, C-V特性と等価回路(情報ディスプレイ研究会)
- 6) 白色ELとカラーフィルタを組み合わせたマルチカラーELパネルの基礎的研究(〔情報入力研究会情報ディスプレイ研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- ZnS:Mn薄膜EL素子のQ-V特性、C-V特性と等価回路 : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
- 白色ELとカラーフィルターを組み合わせたマルチカラーELパネルの基礎的研究 : 情報入力,情報ディスプレイ,コンシューマエレクトロニクス
- 3)SrS薄膜EL素子のイオウ雰囲気中熱処理によるEL特性の改善(情報ディスプレイ研究会)
- 2)MSD法によるY_2O_2Sの成膜とそのEL特性(情報ディスプレイ研究会)
- 希土類イオンを付活したガーネット蛍光体の研究