青色無機EL材料Ba_2SiS_4:Ceの成膜・アニール方法の検討(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
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概要
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Ba_2SiS_4:Ceは低温プロセスで作製可能な青色エレクトロルミネッセンス(EL)材料として期待される。本研究では、Siの過剰添加によるBa_2SiS_4:Ce蛍光体薄膜の発光強度の改善、下地層の導入による結晶性の改善、アニール方法の検討によるBa_2SiS_4:Ce薄膜EL素子の発光特性の改善をそれぞれ試みた。作製した素子からはBa_2SiS_4:Ceによる色純度の良い青色EL発光が得られた。
- 2009-01-22
著者
-
新田 充
鳥取大学工学部
-
小柴 貴裕
鳥取大学工学部
-
宮本 快暢
鳥取大学工学部
-
大観 光徳
鳥取大学工学部
-
大観 光徳
鳥取大学大学院工学研究科
-
宮本 快暢
鳥取大学大学院工学研究科
-
大観 光徳
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
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