田中 隼人 | 鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
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概要
関連著者
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田中 隼人
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
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鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
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鳥取大学電子ディスプレイ研究センター
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鳥取大 大学院工学研究科
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木下 健太郎
鳥取大学
著作論文
- GaドープZnO薄膜における不揮発性抵抗変化現象の成膜雰囲気依存性
- 大面積透明フレキシブルオールGaドープZnO抵抗変化メモリ(ReRAM)の作製と評価
- ReRAMの物性評価と基本メモリ特性の制御 (シリコン材料・デバイス)
- 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析 (集積回路)
- 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- ReRAMの物性評価と基本メモリ特性の制御(シリコン関連材料の作製と評価)
- 遷移金属酸化物抵抗変化メモリ(ReRAM)におけるフィラメント分布と動作特性の関係 (小特集 第52回真空に関する連合講演会プロシーディングス(2))
- 遷移金属酸化物抵抗変化メモリ(ReRAM)におけるフィラメント分布と動作特性の関係