二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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抵抗変化型メモリ(ReRAM)は,次世代不揮発性メモリとして期待されている.ReRAMの実用化に向けてリセット(低抵抗から高抵抗へのスイッチング)電流I_<reset>の制御が重要な課題となっている.セット(高抵抗から低抵抗へのスイッチング)時のコンプライアンス電流I_<comp>を下げることでI_<reset>が低減することが知られているが,I_<comp>を一定値に保った場合にもI_<reset>はある程度のばらつきを示す.現状では,I_<comp>によるI_<reset>制御がI_<reset>低減の唯一の手段であり,I_<comp>とは無関係に生じるI_<reset>のばらつきの起源を明らかにする必要がある.本研究により,I_<reset>のばらつきはセット電圧のばらつきに起因することが示された.更に,セット電圧及びそのばらつきの素子サイズ依存性を明らかし,それを基にセット電圧のばらつきを説明するモデルを提案した.
- 2011-04-11
著者
-
岸田 悟
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
木下 健太郎
鳥取大学大学院工学研究科
-
岸田 悟
鳥取大学大学院工学研究科
-
木下 健太郎
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
田中 隼人
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
岸田 悟
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
岸田 悟
鳥取大学大学院 工学研究科
-
岸田 悟
鳥大工
-
岸田 悟
鳥取大 大学院工学研究科
-
岸田 悟
鳥取大学電子ディスプレイ研究センター
-
田中 隼人
鳥取大学大学院
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