ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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我々は銅酸化物高温超伝導体Bi_2Sr_2CaCu_2O_<8+δ>(Bi-2212)バルク単結晶を用いて,Al / Bi-2212 / Ptと Pt / Bi-2212 / Ptの抵抗変化型メモリ(ReRAM)構造を作製し,メモリ特性と超伝導特性の両方を評価した.メモリ効果はAl / Bi-2212 / Pt構造のみで確認された.Al / Bi-2212 / Pt構造にアニール処理を施すことで超伝導臨界温度が低下し,メモリ効果が促進された.Bi-2212単結晶の大きな異方性を利用することによって,メモリ効果がAlとBi-2212の界面で生じることが明らかになった.これにより,メモリ効果の発現には低ギブズエネルギーの金属をBi-2212単結晶上に堆積させ,Bi-2212から金属へ酸素の移動を生じさせるのに必要な活性化エネルギーに相当する温度まで加熱することでBi-2212内に酸素欠乏層を導入することが有効であることが示された.これらの結果を基に,ペロブスカイト酸化物系ReRAMの抵抗スイッチングモデルを提案し,ペロブスカイト酸化物系ReRAMの設計指針を与えた.
- 2011-04-11
著者
-
岸田 悟
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
岸田 悟
鳥取大学大学院工学研究科
-
木下 健太郎
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
岸田 悟
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
花田 明紘
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
岸田 悟
鳥大工
-
木下 健太郎
島取大学大学院工学研究科
-
岸田 悟
島取大学大学院工学研究科
-
岸田 悟
鳥取大 大学院工学研究科
-
岸田 悟
鳥取大学電子ディスプレイ研究センター
-
花田 明紘
島取大学大学院
-
松原 勝彦
島取大学大学院
-
福原 貴博
島取大学大学院
-
花田 明紘
鳥取大学大学院
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